[参考译文] ISO5851：ISO5851

您好、Yenwu、

是的、   第31页的 ISO5851数据表应用部分是正确的。  

Ron_max = 4 欧姆、ROFF_max = 2.5欧姆。

您在寻找最小值/典型值是否有任何具体原因？  

谢谢

Sasi

1.谢谢。 Sasi、您是否有 ISO5851的最小值或典型值？

 我假设 Ron_TYP、ROFF_TYP 值小于 Ron_max 和 ROFF_max 值？

 那么、这是否意味着在使用 ISO5851时这些 Ron_TYP 和 ROFF 典型值的损耗更小？

 因为基于 eq。 7在 P.31中、 这些 Ron 和 ROFF 值将影响总开关功率损耗。

2.关于 eq 中显示的总功率损耗的另一个问题。 7、   

 ISO5851的 DESAT 引脚(引脚2)在 ISO5851驱动相关 IGBT 时是否会导致额外的功率损耗...等等，哪一个 eq 7不包括在内？

这是因为当 ISO5851驱动相关的 IGBT 时，DESAT 引脚的充电和放电速率将与 ISO5851的输出引脚(引脚6)大致相同，因此该 DESAT 引脚的充电和放电会导致一些额外的功率损耗(均衡)。 7不包括在内？

谢谢

日元

您好、Yenwu、

让我 明天回来。

谢谢

Sasi

感谢您昨天的回复。 Saai、期待今天收到您的回复、  

Yenwu

谢谢。 Sasi、  

我看到、我仍然对两个问题都有疑问、  

对于 eq 7的结果、很明显、如果您使用较小的内部 Ron / roff 值、例如 Ron = 2.8欧姆而不是 Ron = 4欧姆、roff = 1.87欧姆而不是2.5欧姆、并且具有相同的外部栅极电阻、您将在 eq 7结果中获得较小的功率损耗、因此、如果可能、 我希望知道 Ron 和 ROFF 的典型值和最小值、以便我知道偏置电源将消耗多少功率、以分钟典型值为单位。 和内部 Rron/roff 条件的最大值。   

对于 DESAT 引脚功耗、当 ISO5851输出引脚6驱动相关 IGBT 负载时、当 IGBT 在正常工作条件下运行时、DESAT 引脚(引脚2)通常会达到多少电压？ 如果相关 IGBT 收集到发射极电压降比 ISO5851的 GND2引脚高约2.5V、则当 IGBT 导通时、该内部0.5mA 充电 DESAT 引脚电流将流经 DSAT 二极管和相关串联的1k 欧姆 Dsate 电阻器、其中的 Dsate 引脚 (引脚2)将达到约3.5V，因为0.5mA X1kohm + DESAT 二极管正向压降=0.5V，总压降=约1V， 因此 DESAT 引脚电压在 IGBT 关断时将在约0.5V 之间摆动，在 IGBT 导通时将达到约3.5V。 因此、DESAT 电容器的充电和放电功率不是您说的那么大、并且当 IGBT 导通时、无论 IGBT 是否导通、Vdd2 (usually15V)电源的恒定内部0.5mA 电流都可以被视为持续流向 DESAT 引脚。 该内部0.5mA 电流将流经 IGBT 集电极、当 IGBT 关断时、该内部0.5mA 电流将流经 ISO5851器件 DESAT 引脚2内的放电 FET、 不确定我对该内部0.5mA 工作模式的理解是否正确？

不确定是否将该内部0.5mA 视为 IO2输出电源静态电流的一部分？ 可以在 ISO5851数据表的第7.9节 顶部表的 P. 9中看到。最后一行表示 IO2“输出电源静态电流” 的典型值为3.6mA，因此我认为内部0.5mA 应该是该典型3.6mA 静态电流的一部分。 请确认我的理解是否正确？

谢谢。 Yenwu

您好、Yenwu、

是的、具有较小的内部导通电阻/关断电阻会 降低栅极驱动器的损耗。 但是、对于偏置电源计算、您必须仅考虑最大导通电阻/关断和最大功率损耗。

此器件没有可用的最小/典型字符数据。  

仅 当 INP 为高电平时、DESAT 引脚才处于拉电流模式。 当 INP 为低电平时、DESAT 引脚不会处于拉电流模式-但会通过内部 FET 将 DESAT 引脚拉至 GND2。 因此不 需要考虑固定的500uA 电流。

让我回到您关于静态电流问题的看法。

谢谢

Sasi

谢谢。 Sasi、期待您在方便的时候尽早与您取得联系。  

再次感谢

Yenwu