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[参考译文] BQ25600D:BQ25600D 的 VSYS 容差

Guru**** 2390905 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25600D

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/716587/bq25600d-vsys-tolerance-of-bq25600d

器件型号:BQ25600D

你(们)好

让我来问一下有关 BQ25600D 的问题。
在以下两个条件下是否存在 VSYS 容差数据。

补充模式
SDP/500mA 下的充电  

此致、
横田洋三
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    横田洋三:

    在补充模式下、系统电压 VSYS 是电池电压减去 BAT FET 上的压降。 BATFET 压降等于 BATFET 的 IBAT*Rdson,IBAT 是电池放电电流。

    2.在 SDP 下充电时,如果 VBAT 高于 VSYSMIN,则 VSYS 等于 VBAT + IBAT*Rdson,IBAT 是电池充电电流。 如果 VBAT 低于 VSYSMIN - 180mV、则 VSYS 等于 VSYSMIN (典型值3.68V)。

    此致、

    洪茂