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器件型号:BQ25600D 你(们)好
让我来问一下有关 BQ25600D 的问题。
在以下两个条件下是否存在 VSYS 容差数据。
补充模式
SDP/500mA 下的充电
此致、
横田洋三
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横田洋三:
在补充模式下、系统电压 VSYS 是电池电压减去 BAT FET 上的压降。 BATFET 压降等于 BATFET 的 IBAT*Rdson,IBAT 是电池放电电流。
2.在 SDP 下充电时,如果 VBAT 高于 VSYSMIN,则 VSYS 等于 VBAT + IBAT*Rdson,IBAT 是电池充电电流。 如果 VBAT 低于 VSYSMIN - 180mV、则 VSYS 等于 VSYSMIN (典型值3.68V)。
此致、
洪茂