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[参考译文] LMG3410R150:APPNOTE SNOAA14B 设计 GaN 功率级的热注意事项的问题

Guru**** 670830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1190809/lmg3410r150-questions-for-the-appnote-snoaa14b-thermal-considerations-for-designing-a-gan-power-stage

器件型号:LMG3410R150

大家好、

我正在学习应用手册 SNOAA14B《设计 GaN 功率级的散热注意事项》。

我注意到、该白皮书多次提到 高侧 GaN FET (请参阅图片)。 这意味着什么? 散热器是为半桥设计的、为什么在这里强调高侧?

谢谢  

达信

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    达信、您好!

    我不知道为什么强调高侧。 两个 FET 的 EVM 热设计相同、两个 FET 的图腾柱 PFC 中的热负载相同。

    谢谢、

    特拉维斯