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[参考译文] TPS62135:重新出现故障

Guru**** 1818760 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS62135, TPS563200
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/879478/tps62135-recreating-a-failure

器件型号:TPS62135
主题中讨论的其他器件: TPS563200

您好!

提前感谢您的帮助。 有一点非正统的问题、但我需要您的帮助才能打破这块芯片! 我们有几块电路板在这个 IC 烧坏的情况下从现场回来(有些看起来还可以、有些烧到很清晰、但所有电路板都在内部将 SW 短接至地)、我需要了解如何重新创建它。

一些应用背景:输入是一个4节串联锂离子电池组(我们将其限制为12V-16.4V)、输出为12V 至外向桶形插孔。 我们选择此 IC 的原因是其100%占空比(许多其他广播100%占空比的 IC 需要分离电源、Vin > PVin)。 最大负载为3.5A。

由于此 IC 具有过流保护和热关断功能、因此无法通过许多简单的方法来重现此类故障。 查看功能方框图、可以看到电流是使用高侧和低侧 FET 的 RDS (on)测量的。

  1. 对于一个/两个 FET 而言、使 OCP 和热关断失效的唯一方法是否为短路?
  2. 如果您想为该 IC 重新创建热故障、您会怎么做? (可能会对输出施加过大的电压?)

如果您需要任何其他信息、请告诉我!  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    TI_L

    这通常表示 LS FET 对地短路。  当高侧 FET 导通时、VIN 上的过压将导致低侧 FET 上出现 EOS。  很难正确处理 timong、因此 LSFFET 损坏、而不是高侧(或两者)。

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    尊敬的 John:

    感谢您的快速响应和见解。  

    我的第一个想法是、由于 TPS62135的输出端连接到了一个面向客户的端口、因此他们错误地将电源放置在该端口中。 然而、在测试该电压之后、电压实际上会通过 HS FET 体二极管传回、为输入总线充电、并导致该总线上的不同 IC 首先发生故障(TPS563200、其绝对最大值低于 TPS62135)。

    无论如何、我认为我需要做更多的测试、然后才能为您提出其他问题、因此我将在平均时间内将该主题标记为已关闭。  

    此致、