您好!
在以下应用手册的图11中、COMP 电容为2.2nF。
http://www.ti.com/jp/lit/an/snva725/snva725.pdf
另一方面、建议在数据集上使用100nF~470nF。
2.2nF 是否正确?
此致、
Kuramochi
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您好!
在以下应用手册的图11中、COMP 电容为2.2nF。
http://www.ti.com/jp/lit/an/snva725/snva725.pdf
另一方面、建议在数据集上使用100nF~470nF。
2.2nF 是否正确?
此致、
Kuramochi
您好 Kuramochi、
您所提到的设计是针对不同应用的不同组完成的。 如果需要更快的响应时间、则需要2.2nF 的 Comp 电容器值。 建议 Cboot = 0.1uF 只是一个建议。 如果您看一下 EVM、它会使用0.22uF 启动电容器。 有时、长时间关断时、电容器可能需要更大的值。 请注意、建议使用更大的 VCC 电容器和更大的 Cboot 电容器。 其他德州仪器 LED 驱动器 IC 建议 CVcc 的 Cboot 值为10倍。 这是因为 VCC 电容器必须从低至典型值1.6V 的电压为 Cboot 充电。 此外、大 Cboot 电容器也会增大二极管应力。
您所引用的值是特定于操作的。 比较保守地建议了100nF 至470nF 的 Comp 电容器值、从而使许多工作范围保持稳定。 这些值取决于设计和需要处理的工作条件。
此致、