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[参考译文] LM5146-Q1：LM5146-Q1：VCC 生成问题

admin
Guru**** 2813875 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/878996/lm5146-q1-lm5146-q1-vcc-generation-issue

器件型号：LM5146-Q1

您好！

我们正在设计使用 LM5146Q1- (输入范围：36VDC 至72VDC ，输出：12VDC)的降压转换器

在36V 至72VDC 的范围内施加 VIN 并且 UVLO 引脚电压大于1.2V 时、我们会遇到生成 VCC- 7.5V 的问题。

当输入电压 升至66V 以上时、不会从36V 至65V 的输入电压生成 VCC、而是生成7.5V VCC。

我们在仿真中没有发现这个问题。

请看一下这个、因为我们在这里已经被占用了。

谢谢、此致、

Mahesh

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    Mahesh、

    请附上原理图、我们将进行回顾。

    Sam

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    你(们)好

    使用去耦电容器解决了 VCC 问题。

    现在、IC 在空载时加热至高达115°C 时遇到问题

    我是否需要从输出侧连接 VCC、如数据表图30所示。

    我们在进行仿真时未观察到该 IC 发热问题。

    Mahesh

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    Mahesh、

    您可以在图30中实施该解决方案以降低热耗散。

    请分享您的布局图像。 我将检查它是否进行了热优化。

    Sam

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    您好！

    请查找随附的 PCB 布局、

    请告诉我、它是 OK.e2e.ti.com/.../PCB.xlsx

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    TI__Guru**** 2813875 points
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    Mahesh、

    可以修改布局以提高热性能。 请参阅 数据表中的热布局指南。 连接到 IC 下方散热焊盘的 GND 平面应连接到顶层板上的 GND 平面。 当前布局将热量限制在 IC 正下方的平面上。 过孔有助于将热量逸出其他层、但顶层是将热量从 IC 中移走的最佳方式。

    您似乎正在驱动两个高侧 FET 和两个低侧 FET。 您可以使用 数据表中的表2 来计算 FET 开关时的预期功率损耗。

    Sam