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[参考译文] UCC28780:ucc28780

Guru**** 2393725 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28780, SN6505B, TPS7A24

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/933163/ucc28780-ucc28780

器件型号:UCC28780
主题中讨论的其他器件: SN6505BTPS7A24

Ulrich:

以前的员额过大。

因此、我想介绍一个新的、但非常相关的主题:UCC28780启动、数据表信息、评估套件电路以及我们的器件如何甚至不将 SWS 引脚偏置到最小启动电平。

我已经阅读了您在我们的电路上编写的整个文本。 我希望 pdf 版本能澄清差异的理由。 它基于 ACF 模块将如何集成到整个系统中。

不同之处在于:我们对 Gans 有严格的偏置、因为我们可能不会在下一个运行中使用 NV6117。 但其他一些供应商的6V 导通电压、没有 Rdson 低得多的集成驱动器、因此需要很硬的浮动偏置。 对于 SN6505B 电路、可通过外部5.2V 电压获得硬偏置。 因此、控制器的瞬态或关闭/睡眠条件不会在每次出现瞬态时影响启动。

在我们的电路与 TIDA01622中给出的电路比较期间、需要进行一些观察。

在原理图中、VDD 连接到 Q5、这似乎应由运行信号通过 Q6进行控制。

 运行在启动时为低电平、Q6关闭、因此无法打开 Q5。 因此上部 GaN 未激活。 VDD 电容未放电。 泄漏电流之外的其他一些其他功能。

那么、正确的结论是 VDD 节点需要一个大电容器(例如27uF)来让芯片按照数据表和文本中所述的启动顺序运行。

在我们的电路中、由于 CDD1非常低、因此没有发生这种情况。

我们可以轻松地解决这一问题(今天,星期三,上午9点 CA)

我不理解的是、当我们斜升 VBULK 时、SWS 节点会卡在5.4V。 除非由于 CDD1较低而产生直接影响。

下一个观察结果是 、根据数据表、LDO TPS7A24在低输入电平下消耗低于 uA 的电流。 因此、这不可能是启动失败的唯一原因、您不会想到吗?

因此、不正确斜升 SWS 引脚和不执行启动序列的唯一原因是 CDD1非常低。

如果对此作出任何澄清,将不胜感激。

-robin

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    尊敬的 Robin:

    CDD1的值与通过 SWS 引脚提供给它的充电电流的幅度无关。  
    直接位于"12VGRF"上的 CDD1总电容似乎为4.7+4.7+1+1 = 11.4uF。  虽然我不认为这是"非常低的 CDD1"、但它可能需要增加、但这将在达到启动阈值(17.5V)后出现。  

    鉴于12VGRF 不能超过5.4V、这意味着任何东西都会"窃取" SWS 上可用的充电电流、并防止电压进一步增加。  无论 CDD1是1uF 还是100uF、都会发生这种情况。  
    正如我在另一个线程中提到的、TPS7A24本身使用的偏置电流很小、但其输出上的隔离器负载可能会增加很大的电流、这会通过 TPS 返回12VGRF。  可能需要在启动期间禁用 U4。  这基本上就是 Q5和 Q6在 TIDA 设计中的作用(除了减少空载条件下的偏置损耗)。

    另请检查 D1、SBR2A40P1的泄漏电流。  其数据表显示25°C 时泄漏电流较低、但高温时泄漏电流高达 mA。  
    此器件现在可能不会影响室温下的原型调试、但可能会因泄漏过多而阻止将来在高温环境下启动。
    此外、检查反向电压额定值、确保其适合在最大输入线路电压下使用。

    在12VGRF 上查找可降低充电电流的寄生负载。  另一种可能是 VDD 电容器中的一个 损坏(机械应力),而且其本身泄漏。  

    顺便说一下、对 CPC3909能够提供的电流的测试是将 FET 漏极的样本连接到10~30V 直流源、在源极和 GND 之间放置一个1.5K 电阻器、并将其栅极连接到 GND。 测量直流源电流或1.5K 两端的电压并进行计算。  1.5V 电压应提供1mA 电流等   提高或降低直流源电压不应显著影响此电流。  较低的 Rsws 应按比例增大电流。
    VDD 上的总负载(包括启动前的 UCC28780)不应超过来自 CPC 的可用电流、或者 VDD 不能达到启动阈值(~17.5V)。  

    此致、
    Ulrich

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    Ulrich:

    您的所有积分将于今天上午进行调查。

    因为所有这些都是有道理的、

    我已经检查的一件事是、在没有控制器的情况下、在 SWS 节点上进行充电-并且 xmfr 通过从 VBULK 到 CPC 漏极的电阻器、它确实一直上升到齐纳钳位。 因此 PCB 没有固有的问题。 尽管我必须更换具有真正齐纳二极管的"TS"器件才能获得钳位。

    我将首先在实际电路中隔离隔离隔离器。

    Thnx 非常感谢您的及时帮助。

    \robin

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    Ulrich:

    解决问题的过程中。

    1二极管 D1: PMEG6010ELR

    我们不会在超过70度的环境温度下运行、但局部温度可能会更高。 但 这是我发现的最低反向 lkg 电流。

    Thnx 特别指出了这一点。  

    2:分离高侧隔离器偏置:正在修复过程中。 以获得良好效果。 在 PCB 中有点痛苦、但需要完成。

    more...in 流程。

    正在设置来自 CPC 的1.5k 电流...

    非常感谢。

    R

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    Ulrich:

    以下是使用 CPC3909进行1.5k 电流限制测试的结果:在1.5k 范围内、电流限制测试峰值约为666uA、电流限制测试值约为1.8V

    这就足够了。

    供参考

    Robin

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    Ulrich

    电流限制更接近1.14mA、然后1.5k 两端的电压保持恒定、如您所指出的那样。

    这对于启动来说已经足够了。

    只是想更新先前的结果。

    R

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    谢谢、Robin。

    我同意、1.14mA 似乎 足以满足 IC 的典型启动电流、并且充分利用其最大规格。
    如果 VDD 未达到17.5V、则存在泄漏。  

    此致、
    Ulrich

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    Ulrich:

    明白了!

    因此、在您指出不包括启动时、SWS 节点一直达到17.5V!

    首先,请允许我感谢你的帮助和耐心。

    但有一个。

    我正在为此使用30V 电源进行测试- CPC3909的源极一直达到25V...齐纳二极管没有快速钳位(?) 到22V……是因为控制器没有足够快的升压 HVG 来对耗尽的 MOS 采取行动使其进入高 RDS 吗?

    当然、现在、PWML 无法在隔离器上运行、因为它已被禁用...我将开始一次放一个东西、并确切地找出导致斜坡无法达到17.5V 的部件

    在我向上移动电压之前、我们必须了解 HVG 节点以及 SWS 引脚需要确保哪些电压上升。

    我将再次阅读 d/s、但如果您注意到原理图中有我遗漏的内容、您将会非常感激有人批评和修正。

    Thnx

    Robin

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    更正:我测量了 CPC 的来源。 这是25V。 不是 SWS 引脚。

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    Ulrich:

    我们已成功地将 SWS 引脚斜升至17.5、然后回到 SS、正如我星期五报告的那样。

    主要的罪魁祸首是 D8 (从我的原理图中)。  

    我们现在有 SN6505对包括隔离器在内的所有浮动电源进行偏置。

    但是、当我们开始应用大约300V 的 HV 时、我们听到了一个非常响亮的声音-较低的 GaN 发出了一声砰砰的声、它会降低 U3、Q3、Q6 (可疑)、D8、 U7以及 R42和 R30

    显然是不对的。

    可疑

    - 由于某种原因、高 PWML?...使磁芯饱和、电流过大?...变压器似乎正常。

    -由于某些错误行为,隔离器出现错误行为,因此会出现高电压?

    但这种情况发生在300V 以上-尽管我怀疑隔离器会变得很高、但可能不会产生问题、因为在任何较低的 Vbulk 电压下都应该发生故障。

    在我们的电路中、不怀疑预偏置设置、隔离器偏置至5V、不依赖于线路/负载、控制器模式等。

    但是、肯定会有一个大电流通过电流感应电阻器来烧断它、然后烧坏 Ropp (R30在这里)、当然还有控制器和 PoP 更低的 GaN……还是 PCB 上的绝缘击穿?

    对这种情况的任何批判性观点都将受到高度赞赏。

    -robin

    -

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    您好 Robin、

    很高兴您使启动工作正常、但不幸的是、它在~300V 时爆炸。

    指责 PWML 过长的导通时间还为时过早。  通过较低 FET 的电流过大确实会导致过载并损坏电流感应电阻器。 如果该电阻器打开、则源极浮动、高漏极栅极电压可能会使驱动器过载、级联故障会将 GaNFET 周围的所有 IC 和电路都包括在内。

    但我们不知道故障的真正根本原因。 要确定这一点、您需要重新构建电路板或使用新电路板、并 首先在最低交流输入下、甚至在其开始 稳定状态之前、开始研究 MOSFET 波形(电流和电压)、  并且仅当您确信不存在多余应力时才会增加。 当您接近300V 时、您可能会开始看到过载的迹象。  电压尖峰、变压器饱和或其他一些看起来不正确的症状。  

    此外、检查 VDD 以确保其不会因漏电感峰值而出现正增加。   
    还要检查 GaN 温升、以确保其不会因散热而运行。 XFMR 温度也是如此。

    还要检查负 SWS 的程度。  它的额定电压为-6V; 我看到的 GaN 大约为-4V、但我不知道 EPC 部件的性能。   

    某些地方的过载会导致这种故障。  这是一个通过消除和修复过程来跟踪它的内容的问题。  

    此致、
    Ulrich

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    Ulrich:

    感谢您花时间查看情况。

    我们已经确定它肯定不会使 PWML 变为高电平。

    没有迹线烧坏或烧毁的迹象...因此、较低的 GaN Q6栅极-源极出现高电压。 一个真正的重击声和砰砰声器件电容器飞出了...

    最可能的根位于 SN6505 变压器上!

    有些导线看起来有破损、1根导线断开...但没有任何黑色烟尘或熔化的迹象。

    此处是弹出的路径:连接到 D8的12v 来自 SN6505电路上的新绕组。  由于存在寄发导线、因此必须在绕组区域接触 SWS 节点。 这会导致 U4-U3-Q3-D8-Q6 (弹出)-R42 (已烧坏)-U8-U7-Q4立即熔断、还不知道 U10 (可能不知道)

    如您所说,是一级联的碎品。 没有任何烧坏的迹象-除了电流感应电阻器 R42 (2512尺寸!)

    没有电容器发生了绞合、因此可以得出短接电压不是很高且持续时间很短的结论。

    由于没有 PCB 损坏的迹象、我们已更换所有部件。  

    我们将确保 SN6505上的导线受到保护、并在确保启动顺序正确后、这次将涂抹敷形涂层。  

    知道 这种设置将按预期工作...但必须先通过墨菲先生的大门。

    R

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ulrich:

    感谢您花时间查看情况。

    我们已经确定它肯定不会使 PWML 变为高电平。

    没有迹线烧坏或烧毁的迹象...因此、较低的 GaN Q6栅极-源极出现高电压。 一个真正的重击声和砰砰声器件电容器飞出了...

    一个非常有趣的发现是电源 xmnfr 的初级绕组完好无损。 因此、电流不会穿过该路径。

    最可能的根位于 SN6505 变压器上!

    有些导线看起来有破损、1根导线断开...但没有任何黑色烟尘或熔化的迹象。

    此处是弹出的路径:连接到 D8的12v 来自 SN6505电路上的新绕组。  由于存在寄发导线、因此必须在绕组区域接触 SWS 节点。 这会导致 U4-U3-Q3-D8-Q6 (弹出)-R42 (已烧坏)-U8-U7-Q4立即熔断、还不知道 U10 (可能不知道)

    如您所说,是一级联的碎品。 没有任何烧坏的迹象-除了电流感应电阻器 R42 (2512尺寸!)

    没有电容器发生了绞合、因此可以得出短接电压不是很高且持续时间很短的结论。

    由于没有 PCB 损坏的迹象、我们已更换所有部件。  

    我们将确保 SN6505上的导线受到保护、并在确保启动顺序正确后、这次将涂抹敷形涂层。  

    知道 这种设置将按预期工作...但必须先通过墨菲先生的大门。

     

    R