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[参考译文] LP8545:一旦器件被启用、OCP (过流故障)状态位就会被置位

Guru**** 2335270 points
Other Parts Discussed in Thread: LP8545
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/930139/lp8545-ocp-overcurrent-fault-status-bit-set-as-soon-as-part-enabled

器件型号:LP8545

我有一个基于 LP8545的背光驱动器。 该电路与数据表中的典型应用(1)几乎相同、只是不使用 Vsync 并接地、滤波器通过10k 电阻接地、PWM 接地、因为我想使用编程控制。 当我支持 VBATT 和 VDDIO 并将 EN 引脚驱动为高电平时、该器件会响应 I2C 命令:我可以读取寄存器00h-07h 中的状态。 当我通过将05h 写入控制寄存器01h 来打开器件时、我也可以从寄存器 A0h-A7h 中进行设置(根据数据表、设置为出厂值)。 但是、一旦我打开器件、寄存器02h 中的 OCP 位就会被置位。 即使在未连接 LED 灯串的情况下(即 OUTn 悬空)也会发生这种情况、即使我从电路中移除了电感器也是如此。 如何诊断错误?

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    尊敬的 Anton:

    最好检查升压器输出电压。 如果输出保持过低的时间超过50ms、则会出现 OCP 故障。

    BR、

    Robin

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    您好 Robin、

    谢谢、这对我们有所帮助。 输出电压等于输入电压减去二极管正向压降、因为我的电路具有外部 FET、但 LP8545默认配置具有 EN_EXT_FET = 0。 我暂时将外部 FET 的源极连接到漏极、升压器启动、在电压控制寄存器(A5h)中的默认设置和反馈电阻分压器的值的情况下、产生28.7V 的预期输出电压。 但是、现在我还有其他几个问题:

    (1)当我打开寄存器 A2H 中的 EN_EXT_FET 位时、输出电压会降低(!) 从28.7V 到20.3V。 当我更改寄存器 A5h 中的目标升压电压时、它会发生变化、因此稳压器显然在执行以下操作:

    A5 VoutF VoutN
    ----------
    6b 18.07 24.18
    6C 18.62 25.28
    6D 19.21 26.43
    6e 19.78 27.56
    6F 20.36 28.72 //默认设置
    70 20.97 29.89
    71 21.56 31.04
    72 22.13 32.18

    78 25.63 34.64

    7F 29.11 34.64

    我检查了 FB 引脚上的电压、当我启用外部 FET 栅极驱动时、电压会变得更小:当 EN_EXT_FET = 0时为25V、而当在默认 VBOOST 设置下 EN_EXT_FET = 1时为17V。 此外、当外部 FET 被禁用时、输出电压在34.6V 时达到最大值。

    (2)由于除非外部 FET 短接、否则器件无法以默认设置启动、并且除非器件已启动、否则无法设置 EN_EXT_FET、因此我尝试按照数据表中的步骤将设置寄存器写入 NVM。 但是、这似乎没有影响、当我在写入 EE_init=1和 EE_PROG=1后轮询 EE_READY 位时、它永远不会变为0。 是否可以将设置寄存器编程到工作台上的 NVM 中? 我真的不想重新设计背光转换器。 我在 这个论坛上查看了这个较旧问题中建议的器件、但它们中没有一个最高可达55V。

    我的原理图如下:

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    尊敬的 Anton:

    您是否采用自适应模式?

    BR、

    Robin

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    您好 Robin、

    对于当前情况、我通过向寄存器 A2h 写入 B7h (EN_EXT_FEET=1、EN_ADAPTIV=0)来禁用自适应模式。 但是、EN_ADAPT 没有影响:无论我写入 B7h 还是 BFh、输出电压都是20.38V。

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    尊敬的 Anton:

    您能否提供您配置的所有寄存器值?  让我进行检查。

    对于 NVM 编程、已通过基准测试进行了实践。

    BR、

    Robin

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    您好 Robin、

    当然、这是 LP8545输出20.3V 时所有 I2C 寄存器的内容。 我还转储了似乎包含诊断数据的9Xh 块、希望它能有所帮助。

    |00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F
    --------------------------------------------------------
    00 | 00 05 00 FC 00 65 C0
    90 | 32 1E 26 3B 5A 8C 74 94 FD 00 00 00 00 00 00 7C
    A0 | 7F B5 B7 7B 28 CF 64 2D 

    [引用用户="Yoting Shao"]对于 NVM 编程,它已通过基准测试进行练习。

    我看到、 但是、正如我在上面写的那样、我多次尝试了数据表中的过程(写入5到01h 以开启、等待输出电压稳定、将设置写入 A0。.A7h、写入4到72h、写入2到72h、等待200ms、写入0到72h)、并且没有影响: 复位后、AXh 寄存器处于其默认值。 此外、在这些尝试期间、我从未观察到 EE_READY (72h 中的位7)为零。 我出了什么问题?

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    您好 Robin、

    当我连接 LED 灯串时、输出电压也保持在20.3V。 我还可以测量什么来诊断此问题?

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    您好!

    A5h 设置的电压为初始电压、器件将根据负载输出适当的电压。

    至于 NVM、您是否可以使用其他器件重试?

    BR、

    Robin

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    您好 Robin、

    经过一些进一步的实验,我相信我已经对这种情况有了一个了解。 很明显、当 EN_EXT_FET 设置为1时、LP8545切换到一种模式、在该模式下、VBOOST 中的一个单位增量值为 FB 引脚上的0.5V 电压、而不是1V 电压。 基极反馈电压似乎从10V 增加到~11V。 数据表中对 VBOOST 设置的描述没有提到这一点、但这一假设与原理图"高输出电压(3)的典型应用"一致、该原理图通过63.4k 和59K 的电阻分压器保证输出电压"高达55V": 在 Vout=55V 和这些电阻器的情况下、VFB=26.5V=11V+31*0.5V 而不是40V。 在将原理图中的分压电阻器替换为 R70=100k 和 R71=75k 后、我在最高 VBOOST 设置上获得高达63V 的输出电压。

    关于 NVM、我发现可以在器件开启后的50ms 内设置 EN_EXT_FET 位、然后再发出 OCP 故障信号、因此不再重要。 如果我无法使 NVM 正常工作、我将单独提出一个问题。

    感谢您的帮助和关注。