This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS92691:PWM 调光注意事项

Guru**** 2559780 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS92692

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/932266/tps92691-pwm-dimming-considerations

器件型号:TPS92691
主题中讨论的其他器件:TPS92692

大家好、

我对 FET 调光有疑问。

在"8.1.12 PWM 调光注意事项"中、介绍了如何选择 N 沟道/P 沟道调光 FET、但似乎有点难理解 N 沟道优势/劣势。

您能否告诉我实际用例的每个优点/缺点?
例如)哪一个更适合
-更高的上升/下降时间控制?
-精密上升/下降时间控制?
独立的上升/下降时间控制(这在8.1-12中有描述)?
是否存在拓扑相关性?
类似的东西。

此致、
Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    在某些应用中、客户需要将 LED 输出接地阴极、在这种情况下、我们必须使用具有 P 沟道 FET 的高侧开关进行 PWM 调光。  使用 P-FET 进行高侧调光需要一个电平位移电路(数据表图32中的 Q2)。 如果我们不需要此高侧开关、则可以使用具有 N-FET 的低侧开关来简化设计。

    您可以使用串联栅极电阻来降低栅极驱动电压、从而减缓 FET 的开启或关闭。  正如您所知、对于使用串联栅极电阻的导通和关断 FET、没有精密控制、因此这只是一种减缓开关速度的方法、而这正是此处所需的一切。

    如果您需要高侧调光、则应查看 TPS92692、它不需要电平位移来驱动 P-FET。

    谢谢 Tuan