[参考译文] LM25141-Q1：LM25141-Q1问题

你好

是的、您可以将随附的设计用作5V 输出电压设计的参考。  是的、最好使用计算器工具来提供帮助  

设计。  请记住、您所连接的设计有些通用、因此某些组件可能是可选的、也可能只是占位符。

具体的配置将取决于您的特定设计需要什么。

使用此器件、您还可以根据需要使用内置的输出电压为5V 的反馈分压器。  数据表显示了如何操作

这种情况。

R16和相关电容器用于噪声滤波。  如果您使用的是内部反馈分压器、则使用 VOUT 引脚

用于感应输出电压。  在这种情况下、R19将替换为一个10-50欧姆电阻器、用于测量环路稳定性。

对于您所附的示例设计、R19更像是占位符。

2.是的、可以将 VCCX 连接到稳压器的5V 输出。  在这种情况下、2.2uF 是可选的。

3.当使用 DEMB 输入同步信号时、器件将处于 FPWM 模式；我不认为是这样

任何方式。

谢谢你

非常感谢您的回复。

对于 Excel 设计工具、我还有一些疑问、

1) 1)第87行指定为 RG， 我认为这是连接到 HO 和 LO 引脚的 RHO/RLO。 对吗？  

我将 RHO 和 RLO 保持在10R、 那么我的效率会大幅下降、达到~88%(如果我将其保持在1.4R、则为~ 93%)。  

我的 MOSFET 近似参数如下所示，并显示相应的功率损耗数字

您可以看到、控制 MOSFET 功耗较高、栅极电阻为10R。 是否建议在此处将栅极电阻保持在1R 范围内。 或任何其他因素，如压摆率控制(EMI 方面)，都可以在其中找到

我看到 https://www.ti.com/lit/df/tidryp0/tidryp0.pdf?ts=1591205502376 使用了一个10R

但 对于 https://www.ti.com/lit/df/tidrsr2/tidrsr2.pdf?ts=1591205504535 、使用较低的值。  

那么、确切的参数决定了该电阻值。

谢谢

此致

斯蒂芬

你好

我认为电子表格中的 RG 是内部 FET 电阻和外部电阻的总和。

因此、您可以找到 FET 的栅极电阻、并将其与任何外部值放在一起  

电阻。   

当然、您所使用的特定 FET 的所有其他值也需要输入到计算器中。

我认为您使用的过程是正确的。  调整组件的值并查看效果。

如果10欧姆的损耗过大、则表示电阻较小(或0)。

较大的值会减慢栅极驱动、有助于改善 EMI。  同时具有更大的值

降低您的效率。  

这是最大的折衷。

谢谢