• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 3 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 151 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5146-Q1：对于所需的 MOSFET、HO 引脚电压非常高

admin
Guru**** 666710 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1197774/lm5146-q1-ho-pin-voltage-is-very-high-for-the-required-mosfet

器件型号：LM5146-Q1
主题中讨论的其他器件：CSD18543Q3A

各位专家：

你好。

我们的客户询问 HO 引脚电压是否可以切换所需的 MOSFET。
下面是随附的 TINA 模型。 我尝试仿真并获取 HO 输出电压、我得到的是56V、而所需的 MOSFET CSD18543Q3A 的 Vgs 仅高达20V。

e2e.ti.com/.../webench_5F00_design_5F00_7473015_5F00_78.tsc

请告知这是否正常。

此致、

乔塞尔

  • 0
    TI__Guru**** 666710 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Josh、您好。

    高侧 FET 的源极为 SW 节点、SW 将随 HO 上升。

    栅源电压为 BST-SW 电压、当 SW 为低电平时、该电压充电至~μ V (VCC-Vdiode)。

    请参阅数据表第8.2节中的功能方框图、HO 驱动器的高侧电源为自举电源。

    高侧 FET 的典型 Vgs 为7.5V - 0.75V = 6.75V (典型值)。  

    希望这对您有所帮助、

    －奥兰多

  • 0
    TI__Guru**** 666710 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、奥兰多、

    HO 电压为56V 时仿真是否正确？ MOSFET 栅极是否仍然可以接受这种情况？
    WEBECH 建议是否正确且可供客户使用？

    此致、

    乔塞尔

  • 0
    TI__Guru**** 666710 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Joselito、

    正确。  这是正常操作。  

    MOSFET 栅极规格为栅源极。 高侧 FET 的源极为 SW。  

    BST 电容器也相对于 SW。

    理想情况下、BST 将为 SW+6.75V。 6.75V 作为电荷存储在 BST 电容器中。

    因此、随着 SW 上升、BST 也上升。

    HO 导通时、它连接到 BST 引脚。 BST 和 HO 将达到 VIN+6.75V。

    但是、HS FET 上的栅源极电压仅为6.75V。

    这是典型的降压操作。

    希望这对您有所帮助、

    －奥兰多