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[参考译文] CSD22202W15:有关使用 CSD22202W15进行浪涌电路设计的问题

Guru**** 2379910 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1197835/csd22202w15-questions-about-inrush-circuit-design-with-csd22202w15

器件型号:CSD22202W15
主题中讨论的其他器件:TINA-TI

大家好、我将设计一个浪涌电路、如图所示。 电压为3.3V (QSFPDDPLUG33和 QSFPDD33)。 电路能否正常工作?

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    尊敬的 David:

    感谢您关注 TI FET。 我假设输入为 QSFPDDPLUG33、输出为 QSFPDD33。 是这样吗? 我创建了一个简单的 TINA-TI 仿真(已连接)、不使用铁氧体磁珠和肖特基二极管、并将 R585的值增加到1MΩ Ω。 请参阅下面的内容。 我施加了一个上升时间为10μs μ s 的3.3V 斜坡、看起来工作正常。 如果您有任何疑问、请告诉我。

    e2e.ti.com/.../CSD22202W15.TSC

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    尊敬的 John:

    是的、您回答正确。 输入为3.3V QSFPDDPLUG33、输出为 QSFPDD33。 仿真看起来不错。 一个问题是 R1 (R585)的值、1M Ω。 它是非常大的值、比如开路。 如果我执行以下操作之一、会发生什么情况:

    1.完全拆下 R585。 或

    2.将 R585降低至100K 或10K

    谢谢、

    David

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    尊敬的 David:

    R585将栅极上拉至源极、以确保 FET 在初始启动时关断、并与 R576形成电阻分压器。 我将其大小调整为1MΩ Ω、以最大限度地减小流经2个电阻器的电流、同时最大限度地提高 VGS 以完全导通 FET。 我建议保留电阻器、不要将其减小到小于100kΩ Ω。

    谢谢、

    John

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    非常感谢、John。

    David