主题中讨论的其他器件:CSD18540Q5B
大家好、
根据我们的客户、Webench 提出的设计与实际 PCB 设计不一致。
MOSFET 数量存在差异。 测得的效率关闭了7%
这是 Webench 设计文件
规格如下:
VIN = 30V
Vout = 5V
Iout = 20A
请参阅随附的我们客户的 Excel 文件。
e2e.ti.com/.../30V_5F00_to_5F00_5V_5F00_20A_5F00_BUCK.xlsx
此致、
Danilo
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、
根据我们的客户、Webench 提出的设计与实际 PCB 设计不一致。
MOSFET 数量存在差异。 测得的效率关闭了7%
这是 Webench 设计文件
规格如下:
VIN = 30V
Vout = 5V
Iout = 20A
请参阅随附的我们客户的 Excel 文件。
e2e.ti.com/.../30V_5F00_to_5F00_5V_5F00_20A_5F00_BUCK.xlsx
此致、
Danilo
尊敬的 Eric:
感谢您的回答。 请参阅我们客户的评论。
1) 1)这在 webench 中使用相同的组件。
2) 2)在此处回答了任何原因和证明
3) 3)它不是在长持续时间内测量的、而是在25度后启动和返回到25度。
回答任何问题或 webench 设计故障
案例1:如果设计通过 MOSFET CSD18540Q5B 设置为19A
它将提出并联情况、但当改回20A 设计时。
CSD18540Q5B 只是一种情况
情况2:与单个 CSD18540Q5B 相比、MOSFET 并联的效率更差。 请帮助解决此问题。
此致、
Danilo
尊敬的 Eric:
请参阅 下面客户的问题。
1.实际 PCB 中的器件效率下降了7%。 PCB 布局是在 Webench 中生成的设计。
2.如果输出电流为19A、Webench 建议使用两个并联的 CSD18540Q5B MOSFET、但如果输出电流设置为20A、则建议使用一个 CSD18540Q5B MOSFET。
3.与单个 MOSFET 相比,使用两个 MOSFET 时,该器件的效率降低2%,两者都不符合 Webench 仿真的效率
那么、这里的原因和原因是什么?
此致、
Danilo
你(们)好,Danilo
我不确定是什么导致了这种差异。 基本而言、估算效率时可能存在~+/-10%的误差。
其他差异可能是由1) WEBENCH 内部的 MOSFET 建模不准确2)效率测量不准确3)电路板设计与 WEBENCH 原理图不匹配4)电路板设计/测试条件与 WEBENCH 默认条件不匹配...导致的
7%的100W 功率是7W、足以使组件温度极高。 如果可能、请拍摄红外图像。
埃尔
你(们)好,Danilo
我认为客户在20A 测试...
1) WEBENCH 内部的 MOSFET 建模不准确2)效率测量不准确3)电路板设计与 WEBENCH 原理图不匹配4)电路板设计/测试条件与 WEBENCH 默认条件不匹配...
为了进一步研究、IR 图像对于检查哪个 分量比估算值热很重要。 此外、请提供不同 VIN 和 IOUT 范围内的效率曲线。
埃尔
尊敬的 Eric:
以下是我们客户在询问 不同 VIN 和 IOUT 范围内的效率曲线后的回复。
从理论上讲、特定范围内的降压直流/直流效率可以在目标设计的更高电压下提供更高的效率。
最低目标电压降压是效率必须达到的值。最高的 webench 显示了相同的仿真。
理论显示了相同的理论。
简单地说、TI DCDC 芯片栅极驱动器损坏或 webench 开关频率设计错误。
错误的开关频率=电感器 Isat 过 IDC 加热。
开关频率错误=栅极驱动问题自举电容器(值错误)电荷不足以驱动两个 MOSFET。
那么、这基本上是建议 TI 在 webench 中采用错误的设计吗?
此致、
Danilo