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[参考译文] LM5104:外部栅极电阻器应用手册未提及负载

Guru**** 664280 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1200174/lm5104-external-gate-resistor-app-note-does-not-mention-load

器件型号:LM5104

我遵循有关外部栅极电阻器选择的说明(SLLA385A)、应用手册介绍了一个可探测 FET 栅极振荡以表征不必要振铃的过程。

应用手册未说明此测量是在负载为典型负载的 FET 负载还是空载的情况下完成。

我目前正在进行测量、并发现振铃肯定会有所不同、具体取决于 FET 是否已加载。 无负载时的振铃通常较差(更易于测量!)。

该如何进行测量?

此外、应用手册提到栅极驱动器输出电阻 Rhi 和 Rlo 起着重要作用、在计算中也要考虑到这一点、但我不确定这是什么。 栅极驱动器输出级器件的 Rdson?

即使应用手册 UCC5310MC 中使用的栅极驱动器也不会在其数据表中指定任何输出电阻。 此处应使用什么?

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    您好、Jim、

    感谢您的参与! 我建议在振铃更差的情况下进行这些测量-加载 FET。 在加载 FET 的情况下进行此测量有助于在电路通常会遇到最不利的振铃时对电路进行调优、以获得更好的性能。

    最棒的

    Alex Weaver

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    谢谢、我将在加载 FET 的情况下进行捕获。 是否有关于应用手册中提到的栅极驱动器输出电阻的建议?

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    您好、Jim、

    没问题。 我也意识到我可能对这个问题的解释是错误的。 负载 FET 时的振铃通常较差、但如果在 FET 空载时的振铃较差、则应针对最坏的情况进行设计。

     

    Rhi 和 Rlo 电阻代表高侧和低侧驱动器在导通期间的内部电阻。 此图取自另一份讨论 MOSFET 功率损耗的技术手册、我认为它可能有助于您进行计算。 下面是指向文章 的链接:链接

    如果您有任何其他问题、请告诉我、祝您度过愉快的周末!

    最棒的

    Alex Weaver