大家好。
我有关于 LM74900-Q1的问题。
它用于 LM74900-Q1的以下条件。 
过流限制= 11A/持续时间= 1ms
短路电流= 20A/5us
这种情况是接收到正常车辆的蓄电池电压。
-我不知道负载突降(LM74900)的过流持续时间通常设置为多长时间。
我们将首先设置常规值、然后继续稍后的电路板测试以找到最佳值。
- TPS55288将连接到负载突降的后端(74900Q1)并使用。
-我想知道当发生上述过流和短电流时,它是否也会影响 TPS55288的 MOSFET。
-如果这样,我想知道当两个 MOSFET 的 SOA 图不同时,是否应该选择裕度作为较大的一侧。
-我想知道 LM74900的 MOSFET 和 TPS55288 MOSFET 是否应该作为同一个 IC 进行审查,以便为过流/短路情况做好准备。
我所询问的不是过压情况、但我担心发生过电流(11A/1ms TMR 设置)时、TPS55288的 MOSFET 连接到负载突降的后部。
如果11A 发生1ms、则将电流过流限制设置为"保护"。
在过流启动后的1ms 内、11A 不会影响 TPS 55288的 MOSFET 吗？
下面是 TPS55288开关 MOSFET 的 SOA 图。
最后、我想知道负载突降(LM74900)中通常设置的 TMR 计时器时间(TOC=TCB)大小。
您好、Kim、
ISO 16750-2负载 突降负载突降与下图所示的脉冲相对应。
您指的负载突降似乎不同于 ISO 16750-2负载突降脉冲。
您只指过流事件、FET 的 VDS 将非常低、您想知道这里是否超出 FET SOA？ 如果是、根据您共享的 FET SOA、FET 在最低 Vds 下只能处理10A 电流、而这在25°C 温度下也是如此。 FET SOA 会随温度的升高而降低。 因此、我建议您选择具有更强 SOA 的 FET。
查看具有更强 SOA 的 FET 时、在最低 VDS (0.1–1V)下、可处理电流几乎没有差异。
请检查下图。 
是否有其他方法可以在负载突降过流情况(11A/1ms)下检查 FET 的稳定运行？
作为参考、直流/直流输出为14V/6A、开关频率为1.2MHz。 此外、最大工作温度范围为85度。
基于以上内容、我们希望调整 TMR 时间、该时间当前设置为1ms 的负载突降(LM74900)。
