[参考译文] BQ76952EVM：BQ76952无法充电

尊敬的明星：  

由于它听起来像是多个测试用例、因此有点难以理解。

能否请您仔细检查每个测试用例、了解每个关注领域的设置？

此外、是否确实存在同时连接电子负载和充电器的情况也存在疑问、您能否说明一下？  

此致！  

-Luis Torres

您好！

首先、电子负载和充电器未 同时连接到电池组。 该具体问题是、当 CHGFET 和 DSGFET 同时开启时、连接到电池组的电子负载可以正常放电、但 在 连接到电池组时充电器(21V)无法工作。 在整个过程中、CHGFET 和 DSGFET 都会打开、不会产生保护。 正常放电和充电失败由电流的测量值来判断。 (使用 DuPont 电缆连接了五节锂电池以及 BAT-和 CELL5之间的六个端子、其余端子使用 DuPont 电缆进行短路。)  那么,你能给我一些建议来解决这个问题吗? 谢谢你。

此致！

-Lu Shenglin

尊敬的 Lu：  

让我们澄清一下上述一些测试用例、以便为您提供更好的支持。  

• 此处、当您说 PACK+与电芯16之间的电阻为0欧姆但无法测量时、您是说它们短接在一起了吗？  

Unknown 说：

1. 当连接到电子负载进行放电时、CELL16 -> PACK+的压降为5.17V、PACK+-> CELL16端子的电阻为0欧姆、无法测量 CELL16与 PACK+之间的电阻、它可以在0.5A 的放电电流下正常放电。[/报价]

• 如何测量 PACK+至 CELL16之间的电阻、而不是 CELL16至 PACK+之间的电阻？ 另外、如何测量电阻(4线制仪表、V/I 计算)？

Unknown 说：

2.  关闭电子负载、停止放电、测量电池组+的电阻->电池16端子的电阻为0.64千欧、不能测量电池16与电池组+之间的电阻

• 充电器是如何连接的？ 该电压下降是由浪涌电流造成的还是充电时电流持续下降？ 此时0.5A 负载是否已断开？
• 多大的电流是0？ 由 BQ 进行测量还是在外部进行测量？ 如果电流确实是0A 且未连接任何负载、则能量损失会流向何处？ 是否有其他设备连接到电池？  

Unknown 说：

3.  连接充电器的正极和负极后、电池16 ->电池组+的压降为4.25V、无法测量电池组+->电池16端子的电阻、电池16的电阻->电池组+的电阻为0欧姆；无法充电、电流为0。[/报价]

• 您能否说明当前0mA 在何时不是？ 您是否拥有有关插入充电器时发生的情况的示波器捕获？  

Unknown 说：

然后关闭测试模式、开启 FET_EN、然后点击 ALL_FETS_ON、DSG_FET 导通、但 CHG_FET 未导通。 连接电子负载后、CHG_FET 再次导通。

此时、CHG_FET 的打开和关闭与 CHG_FET 是否进入睡眠状态有关。 此时、它可以正常放电。 然后连接充电器、没有电流。 CHG_FET 有时会开启和关闭、这可能是由于电流测量不准确、即使在电池组断开连接时、测得的电流也从-7mA 跳至-249mA、在大多数时间都是0。

[/报价]

• 此外、只需确认一下 EVM 板就是这些了吗？ 您是否尝试过其他单位/EVM？ 您是否可以对连接有所了解、以便我们查看跳线并确保硬件配置正确。  

此致、  

格雷罗阿雷利斯  

[/quote][/quote]

• 取消

• 向上 0 True 向下
• 取消

您好、Arelis

感谢您的答复。

1、  请忽略

2、 充电器连接到 EVM 板的 PACK 的正负端子； 连接充电器后、开启 CHGTEST 和 DSGTEST (FET_ENABLE 关断)、BQSTUDIO 接口上的电流显示始终为0；电池上没有其他内容。 下图显示了线路连接。 (CELL1至 CELL16上的分流跳线全部移除、I2C 跳线正常)

电池盒的电路如下：(电池组和 EVM 板仅连接到 CELL0、CELL1、CELL2、CELL3、CELL4、 和 CELL5)

3、 电流为0mA、这意味着插入充电器并打开充电和放电开关后、BQSTUDIO 上的电流显示始终为0 (数据总是根据默认周期更新)。

客户在我这边没有任何其他 EVM 板。

他们想知道是不是 FET 出现了问题、我在不同状态下测量了 FET 两端的电压：

在连接到电子负载时：

CHG=1、DSG=10 1时 Ω、UFE=4.56V、UFD=-0.256V；

CHG = 1、DSG = 0时 Ω、UFE = 19.27V、UFD = 18.50V；

当连接到充电器时：  

CHG=0、DSG=1、UBA=1.12V、UBC=1.48V；

CHG=1、DSG=1、UBA=1.11V、UBC=1.46V；

这是否正常？  但在同一个电路中、放电正常、但充电不正常(充电器和电子负载不同时连接)

正在等待您的回复。

谢谢

星号

您好、Arelis  

更新测试：

电池电压为19.77V。

当连接到电子负载进行放电时：CHG=1、DSG=1、

UD = 18.38V、 UE = 13.63V  UF = 18.16V，

uC = 18.60V， UA = 18.74V  UB = 18.11V

当连接充电器：CHG=1、DSG=1时、

UD = 20.81V、 UE = 21.21V  UF = 20.87V，

UC = 1918..43V，UA = 19.75V  UB = 20.87V。

放电时、UD>UE、因此放电 MOS 可正常导通；

充电时、uC<UA、FET 实际没有打开、我检查了寄存器设置、Chg Pump Control 设置为01、电荷泵被启用、但是 CHG 的电压低于电池电压、所以 CHG MOS 无法打开。

为什么 CHG MOS 无法导通？ 为什么 DSG MOS 在正常放电期间有4.53V 的压降？

正在等待您的回复。

谢谢

星号

您好、Star：

什么是 CP1电压、该电压应比电池电压高出~11V 左右。 如果此电压异常、则驱动器可能无法正确驱动 FET。

对于这些测试，您是否使用 FET_TEST 命令(当 FET_EN = 0时)？ 如果是、那么在启用 FET 时寄存器的状态是怎样的？ 如果使用这些、则应同时设置 DSG_TEST/CHG_TEST。

对于自主模式(FET_EN = 1)、默认情况下、CHG FET 将在睡眠模式期间关断。 对于此测试、可以使用 bqStudio 的 Commands 窗口中的 SLEEP DISABLE 命令禁用 SLEEP 模式。 您还可以通过更改设置使 CHG FET 在 SLEEP 模式下保持开启状态。

您是否也可以共享您的.gg 设置？

此致、

Luis Hernandez Salomon

你好、Luis  

感谢你的帮助。

附加了.gg 文件。

e2e.ti.com/.../8420.data-memory.gg.csv

寄存器设置如下：

FET Options = 0x0d、 Chg Pump Control = 0x01

当设置 CHGTEST=1和 DSGTEST=1时、TP3的电压为19.38V、而 TP2的电压为19.38V、也就是说、C3的两端没有差异。

当 FET_ENABLE 时、点击 ALLFETON、然后点击"SLEEP DISABLE"。 此时、寄存器显示 DSG_FET 和 CHG_FET 已开启、但 TP3的电压仍为19.38V、TP2的电压为19.38V。  

设置是否正确？ 但是、电荷泵已设置为启用。 此时、TP3的电压应比电池组电压高11V、但在实际情况下电荷泵未在充电。

请提供一些建议。

谢谢

星号

您好、Star：

我测试了他们的设置,它从我的身边工作。

如果启用了电荷泵、则 TP3应比 TP2高~11V、否则会以某种方式消耗电荷泵(DSG/CHG 引脚上的负载过高)、或者 IC 可能损坏。

您是否可以尝试更换 IC、看看问题是否得到解决？

此致、

Luis Hernandez Salomon

你好、Luis

感谢你的帮助。

客户更换 BQ76952、他们使用32V 电源来仿真10节电池的总电压(其余六节电池短路)；

然后打开 BQSTUDIO、打开 FET_ENABLE 和 SLEEP_DISABLE、PACK 未连接、其余配置是默认配置。

TP3的接地电压为42V、但闻起来很快就会烧坏、测试过程中 TP3的电压快速下降；立即断电后、电荷泵 C3的电阻可以测量为12.1欧姆。

BQ76952烧毁后、可以正常显示电压。 在关闭 CHGFET 和 DSGFET 寄存器的情况下、Q8的 CHG 引脚的测量电压约为30V、而 Q9的 DSG 引脚的测量电压为0V。  

BQ 损坏是否与 DSG 引脚相关？

正在等待您的回复。

谢谢

星号

您好、Star：

这很奇怪。 它们是如何连接电源的？ 电路板上是否有任何短路？

除非在某处发生短路、否则没有理由使电容器短路或 IC 受损。

此致、

Luis Hernandez Salomon

你好、Luis

感谢您的答复。

客户检查 EVM 并发现 CHGFET 旁边的 D4齐纳二极管已烧坏。

如果 D4两端的反向电压高于16V、它将被烧毁、如果 CP1引脚的电压高于电池组电压15V 的电压、它将被烧毁。

因此、最后一个原因是电荷泵的充电超过了 CP1和 D4中的控制开关。 耐受电压。

什么控制电荷泵的充电、以及如何防止电荷泵充电超过设定值？

正在等待您的回复。

谢谢

星号

您好、Star：  

D4齐纳二极管专门用于保护 CHG FET 免受16V 以上电压的影响 这通常仅在发生较大瞬变事件期间发生、例如短路事件。  

在正常运行期间、D4齐纳二极管两端始终有一个~11V 的电压、当器件关闭时、二极管两端的电压将为~0V 因此、通常齐纳二极管不会承受高于16V 的电压

该器件将始终根据 BAT 电压控制电荷泵。 因此、它将始终比电池电压高~11V。  

此致、

Luis Hernandez Salomon