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[参考译文] TPS735:TPS73501上 DAC 的外部 FB 问题

Guru**** 657930 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1229311/tps735-external-fb-issue-issue-with-dac-on-tps73501

器件型号:TPS735

您好、团队成员:

使用 TI 翻译工具翻译的客户问题、

今天、一个棘手的问题。 我正在使用 TPS73501。 我通过 DAC 设置 VOUT 电压。 该信号称为"IR_DAC"。 "IR_DAC"是使用一个最大12位 DAC 生成的 3.0V 输出。 LDO 的设定范围大约为0.2V。 为 Vout 为3.0V。 原则上、如果 DAC 步长不是太大、这也适用于所有 PCB。 在99%的 PCB 中、DAC 的步长尺寸完全没有作用。 电压 IR_DAC 可从0切换至3V、然后返回至0V。 这款器件的频率与99%的 PCB 相同。 只有1%的 IC 让我感到担忧。 如果您在此处选择的 DAC 增量过大、特别是大约 >2000 (即 IR_DAC 从0V 到1.5V,然后再次变为0V),则对于1%的 IC 不起作用。 然后、电压 Vout 变为3.3V 的 IC 工作电压。 一条线路可能在 IC 内部导电。 (寄生晶闸管?) 但是、没有损坏。 然而、此电路一直运行在略小的 DAC 步长内、也就是说少于1800 (也就是说、IR_DAC 从0V 至1.3V)。 如果我增大电容 C148、问题也许可以解决? 但是,什么是一个良好的价值,没有负面影响,但仍然解决了问题? 为什么99%的 IC 总是可以工作? 当然可以进行仿真。 但是、仿真映射现实是否完全足够呢? 通过增加限制也可以解决该问题、只是软件更改可能是一种问题、但对于这样做来说为时太晚。  

感谢您的回答。

P.S.本周我将参加 FAE 峰会。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Frank:

    首先、他们将 C148放置在错误的位置。 我想他们打算添加一个前馈电容器、但前馈电容器从 VOUT 连接到 FB (对于合理的现代器件、旧器件是从 ADJ (或 FB)连接到 GND)。 实际上可能导致器件变得不稳定。 10pF 可能足够小、不会注意到它、因此可能他们只是幸运而已。 我建议完全移除此电容器。 此外、数据表指出、需要前馈电容器来实现稳定性。 他们是否发现有不稳定的迹象?  

    听起来问题与 VOUT 的切换速度有关。 当器件输出变为3.3V 时、它是否停留在那里? 还是只是脉冲至3.3V 然后稳定下来?  

    是否有任何波形显示这种行为?

    谢谢。

    Nick

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    客户反馈:

    移除 C148后、该行为不会发生变化。 即使根据数据表应是>3pF Cff,>1000 PCB 也不存在稳定性问题。 我的10pF 不应该是 Cff、但可以降低 VREF 输入端的噪声。 我可以想象、C148的增加将解决"跳跃问题"、因为它会降低 VOUT 的变化率、而这可能会降低控制稳定性。 我将进行测试。 听起来问题与 VOUT 的切换速度有关。 完全正确! 并且仅影响少数 PCB。 在校准传感器时、SW 使这个较大的 DAC 只能从1900年跳到4000次。 以后再也不会来了。 DAC 突变然后小于+500。 对于 DAC 从大值跳到小值的情况、无论跳转高度有多高、一切都始终正常。 用 DAC、步长为1000:一切都正常 VOUT 执行它应该执行的操作、也是稳定的。 DAC 值= 4095:= DAC 处的3.0V  

    使用步骤4000中的 DAC 时:电压 Vout 变为3.24V (而不是0.2)电源电压并保持稳定。 没有什么东西在挥动。 对于 DAC、步长为2000相同。 步骤1500工作。  

    从高电平->低电平->高电平启用:然后电压转到正确值0.2V  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Frank:

    感谢波形和进一步的说明;我现在了解这个问题。  

    您是否也尝试过捕获 VFB 的波形? 实际发生的情况对我来说似乎与直觉不符;当 DAC 输出从低电平转换为高电平(0 -> 3V)时、在短期内、FB 电压会上升、而 VOUT 保持在初始调节点、因为输出电容保持该电容。 在这种情况下、器件将关闭通道、直到 VOUT 下降到足以使 VFB 再次正确调节为止。 在这里、通道锁存到完全开启时、似乎发生了相反的情况。 我想知道某些波形(放大得更多以显示瞬态行为)是否会使人们对所发生的情况有所了解。  

    您可以尝试使用更大的 C148、但要对此小心。 即使器件没有变得完全不稳定和振荡、在这里进行的转换也可能会导致更多的"振铃"和过冲。  

    此致、

    Nick

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    客户反馈:

    目前、我无法使用电压示波器进行测量。 下周我会有第一个选择。 目前是通过板上的 AD 转换器进行测量的、在这里只能测量分辨率为20ms 的电压 Vout 和 IR_DAC。 我怀疑经典的闩锁效应、即寄生晶闸管在 VFB 输入端因正尖峰而点燃。 C148可用于减少此尖峰。 为什么只有1-2%的 IC 做到这一点仍不清楚。 C148 =100nF、则 DAC 跳至3000。 之后、它们不再可靠。 但是 Vout 的噪声对我来说太大了。 100nF 将安全地避免 VFB 上的尖峰。 这违背了我的晶闸管理论。 某些 IC 可能不喜欢短时间内 VFB 出现大电压变化。 我们首先用这种行为来整理 PCB、然后争取使用 SW 解决方案、这限制了跳转高度。  

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    尊敬的 Frank:

    没有示波器图很难说明发生了什么、因此我必须等到您能够收集到一些图。 我个人还没有看到由 FB 电压变化过快导致的锁存事件;我看到的每个锁存事件都是从输入到输出的反向电压。 说了这句话、我不能否认这个想法。 我没有办法证明它。  

    此致、

    Nick