[参考译文] BQ76952：BQ76952背对背公共源 FET 驱动器

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1226539/bq76952-bq76952-back-to-back-common-source-fet-drive

器件型号：BQ76952

您好；

我们要在我们的初期设计中使用 BQ76952 AFE IC。我们正在考虑低侧背对背共源 MOSFET CHG 和 DHG VET。我们将使用 DCHG 和 DDHG 引脚与 MOSFET 驱动器进行低侧控制。我们不使用隔离驱动、因为隔离电路电源问题非常高。因此,我们要使用低侧共同瞄准。但在我们的设计中、BQ76952的参考点(VSS)是 MOSFET 的公共源点。我们无法确保该设计的安全性或任何运行故障。

我们不确定我们的设计是否能正常工作。 我们不确定在任何保护情况下它是否会发生故障。 
我们尤其在短路的情况下担心。 下面显示了我们正在考虑设计的部分电路。 
您能帮助我们解决用红色圈起来的区域问题吗？电路设计是否适合这种方式吗？

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 667810 points

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尊敬的 Fikret：

我们始终建议使用网带连接组件或零0欧姆电阻将高电流路径与低电流路径分开。您可以参考 TIDA-010216 低侧开关的参考设计。

这两个线程共享有关接地问题的良好信息。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/968861/bq76920-can-charge-and-discharge-mosfets-be-connected-common-source

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/823905/bq76930-bat---or-pack---or-other-ways-to-connect-gnd

此致、
何塞·库索

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 667810 points

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大家好、

我之前已经根据建议审阅了文档和参考设计。 但是、在推荐的参考设计中、 
MOSFET 用作公共漏极。 在我的设计中、我们希望使用 MOSFET 作为公共源、而我们的公共源链路将是我们的参考接地点。 
我们正在考虑将具有0欧姆电阻的 MOSFET 共源极连接到 Bq76952的 vc0桥臂。 
在我们设计的 BMS 电路中,有一个与充电 MOSFET 并联的限流电路。 
我们要驱动所有的电流限制 MOSFET ,充电放电 MOSFET 和 AFE 从采取一个共同的点. 
这就是为什么我们更喜欢一个共同的源结构。AFE 的参考点是什么类型的问题是共同源的原因? 
我们希望收到有关这一主题的信息。

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 667810 points

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尊敬的 Fikret：

低侧配置需要外部 FET 驱动器。内部驱动器仅支持高侧、该驱动器不支持共源极配置。

现在、在您的应用中、它是否支持共源极取决于您的外部低侧驱动器。我们尚未实现此目标、因此需要对其进行测试。

此致、
何塞·库索

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