主题中讨论的其他器件:CSD87334Q3D、CSD87333Q3D 、 CSD18543Q3A、CSD18514Q5A
大家好、
与该主题相关、
我的客户正在考虑将 TPS43061RTER 用于他们的系统。 我们为 FET 提出了 CSD87334Q3D 或 CSD87333Q3D。 但需要 VDS 为40V 的 FET。 您能给我们一些40V 系列的建议吗?
此致、
大桥
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大家好、
与该主题相关、
我的客户正在考虑将 TPS43061RTER 用于他们的系统。 我们为 FET 提出了 CSD87334Q3D 或 CSD87333Q3D。 但需要 VDS 为40V 的 FET。 您能给我们一些40V 系列的建议吗?
此致、
大桥
您好、Ryoma:
很抱歉耽误你的时间。
我介绍了一些较新器件的参考设计、以便在类似应用中寻找常见的 FET 选择、但很难找到更好的建议。
由于我不是 TI FET 专家、因此我只能自行搜索器件并检查规格。
https://www.ti.com/power-management/mosfets/n-channel-transistors/products.html#267=35%3B45&
我也曾在 FET 团队再次咨询过、因此他们可以就合适的器件选择提供更多见解。
此致、
Niklas
您好、Osashi-San、
感谢您关注 TI FET。 TI 没有任何40V 电源块器件。 这将需要分立式 FET。 我推荐 CSD18514Q5A (采用5x6mm SON 封装的40V NFET)或 CSD18543Q3A (采用3.3x3.3mm SON 封装的60V NFET)。 CSD18543Q3A 是一种较小的解决方案、但估算的功率损耗比 CSD18514Q5A 略高。 对于此应用、它们都是成本最低的分立式 FET。 我附上我用来估算功率损耗的 FET 选择电子表格、以便进行查看。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
e2e.ti.com/.../3441.SYNC_2D00_BOOST_2D00_FET_2D00_LOSS_2D00_CALC_5F00_Rev1_5F00_Ohashi.xlsm