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器件型号：BQ34Z100-G1 主题中讨论的其他器件：GPCRA0、 GPCRB
更改 Design Energy Scale 时、技术参考将提示缩放闪存中的特定参数。
很明显、您可以将大部分值除以该因子、但我认为您实际上会将 T RISE 值乘以比例因子。
技术参考除了扩展之外、实际上并没有说明要做什么、因此我希望得到一些澄清。
此外、论坛博文 BQ34Z100EVM：-R2 T RISE、Energy Scale 和 Design Energy Parameters 似乎与此冲突、工程师指出
"但 T RISE 最后一行中的信息不正确、T RISE 实际上与 Current 相关、而不是 EnergyScale ()、如果报告的电流按 Current 进行缩放、则 DataFlash 中的 T RISE 值应该是实际 T RISE 和 Current 的乘积。"
需要注意的是、我知道上述文章与 R2固件有关、但这是我可以找到的唯一关于修改与任何比例因数相关的 T RISE 参数的帖子。 工程师声称与能量调节无关的事实是、我对 G1固件感到担忧。
1.我能得到确认吗?如果我提高设计能效,我实际上确实需要调整 T RISE 吗?
2.是否可以确认我应该 将 T RISE 值乘以设计能级、而不是除以？
