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[参考译文] LM5149-Q1: DC-DC 67.2v 到20V/15V/9V/5V ; TCAN1162x ; TPS25750

admin
Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25750, LM5149, CSD19533Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1229406/lm5149-q1-dc-dc-67-2v-to-20v-15v-9v-5v-tcan1162x-tps25750

器件型号：LM5149-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5149、TPS25750、 CSD19533Q5A

您好！

 我有一个关于我的16节串联 BMS (电池管理系统)(设计)的问题。

我打算仅将 PD (电力输送) Type-C 电源用于手机或 PC 的充电用途...

电池电压为67.2V，我计划采用能够提供5A 电流的 DC-DC 降压转换器。


我有一份直流/直流转换器和 PD (电力输送)控制器的示例原理图、我想与您分享。

直流/直流转换器的目的是为 CAN 收发器供电、并使用多种电压选项(5V/9V/15V/20V)为 USB PD Type-C 器件充电。

我选择了 TCAN1162、因为它的电源电压范围是5.5V 至28V。 不过、

我不确定我的设计是否正确。



如果您能查看原理图并提出改进意见或建议、我将不胜感激。

您在该领域的专业知识将非常宝贵、可确保该设计的有效性和可靠性。

提前感谢您。

我期待您的反馈。

此致、
Ahmed。

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ahmed、

    感谢您的咨询。 我只能为 LM5149器件提供反馈。 我先看一下您的原理图、您能否使用您的设计参数填写此快速入门？

    此致、

    Henrye2e.ti.com/.../LM5149_2D00_LM25149-Quickstart-Calculator_5F00_rev3.xlsm

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Henry Kou：  

    感谢您的答复。

    您提供的 Excel 文档真的很有帮助(关于直流-直流与 LM5149 ),它给了我更多的信息。

    您是否有关于 PD 控制器原理图的任何其他反馈？

    谢谢  

    此致、

    Ahmed。  

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
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    您好、Ahmed、

    我建议创建另一个 E2E 帖子、仅审核该器件 TPS25750、以便由合适的团队处理它。

    至于 LM5149器件原理图、我的备注如下：

    • 添加阻尼电容器以支持线路瞬变和输入滤波器：https://www.ti.com/lit/pdf/slyt670
    • 添加更多陶瓷 CIN 电容>40uF (降额)
    • ENABLE、PG、VCCX、ISNS、CNFG 连接似乎良好。
    • 将频率设置为~150kHz、RT 似乎有点低、建议切换到2.1MHz 或1MHz、请参阅随附的推荐电子表格计算器波特图。
    • 省略 EXTCOMP 的 R811上拉
    • 省略从 VCC 到 CBOOT 的 D80D 二极管
    • 对于反馈网络、请参阅随附的文档以了解带开关选项的动态电压输出设置。
      • 20V 反馈网络似乎与26V 输出电压相关。 建议 R812为190k、R817为10k。
    • 有关为在每个 VOUT 设置下实现稳定运行而选择建议的补偿值、请参阅随附的建议的电子表格计算器。
    • 对于开关 FET、由于以下原因、我会推荐不同的 FET：
      • CSD19533Q5A 的米勒平坦区域在2V - 3V 范围内不足、因此 FET 将无法正常开关
      • VGS = 4.5V 时的 RDS_ON 值可能非常高
    • 我推荐 ISC0602NLSATMA1或其他类似的 NFET。 我已将数据表中的参数输入到推荐的电子表格中。

    此致、

    亨利

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
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    尊敬的 Henry Kou：  

    感谢您的反馈以及您为此付出的时间。

    您提供的文件对我很有帮助、但我确实有几个问题。

    通过参阅 file.xlsm、如果我选择2.1MHz 的频率、功率损耗会增加、结温超过160°C 这是因为 VCCX 连接到 GND (因为我的设计中没有外部5V 电源)。 这就是我选择大约400kHz 频率的原因。

    对于 R811、我选择了一个100kΩ 值、如用于内部补偿的被称为 Calculator.xlsm (您共享的)的设计所示。

    关于 file.pptx (动态输出电压变化)和数据表、以下公式适用：

    Rfb1 =(Vout/Vref - 1)×Rfb2

    VOUT = VFB×(1 + RtoP/Rbot)

    VREF = 0.8V

    通过代入以下值：

    0.8×(1 + 249/10)= 20.72V

    (考虑到我的设计中有一个二极管的电压降为大约0.5V、因此电压大约为20.72V 而不是20V。)

    我想了解为什么建议使用190kΩ Ω 值而不是249kΩ Ω？

    (Rfb2 (Rbot)的 kΩ 起始值 kΩ 在10k Ω 和20k Ω 之间。)  

    这就是我选择将 Rfb2固定在10kΩ Ω 并且使 Rfb1为动态的原因。 然而、在 file.pptx (动态输出电压)中、它建议修复 Rtop 并使 Rbot 动态。 如果我选择这个配置、Rfb2将在数据表中提到的建议值范围之外。 这两种配置之间是否有显著差异？ 哪一种方法更好？  

    感谢您解决其他问题。 我将考虑这些问题。

    我再次感谢您的指导、反馈和您花时间作出回应。

    此致、

    Ahmed。  

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ahmed、

    实际上我明白你在说什么。 我同意您在以下方面的意见：

    -只要补偿可以确保系统在不同电压输出下的稳定性,就可以在400kHz 下运行。

    -在20Vout 时 RFB1应为249K,动态 Rtop 方法同样适用。

    此致、

    亨利

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    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢 Henry Kou、  

    这解决了我的问题、  

    此致、  

    Ahmed。