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[参考译文] BQ25730:对 VINDPM 寄存器进行写入操作

Guru**** 2392475 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ25730, EV2400

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1232721/bq25730-writing-to-the-vindpm-register

器件型号:BQ25730
主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、、 EV2400

您好!

我在通过 I2C 特别是向写入时遇到困难 对该眼图进行建模 寄存器(I2C 地址= 0B/0Ah)。 我能够写入和读取其他寄存器、还能够从中读取有意义的值 对该眼图进行建模 注册,所以大概是 配置 通信良好。 但是,无论我写什么 对该眼图进行建模  寄存器 似乎被忽略。

我每次将输入电压连接到时 VBUS、  我看到寄存器的值被正确设置为一个实际上与之相对应的值 VBUS-1.28V (当然、还要考虑对所有代码有效的3.2V 直流失调电压)。 连接到扩展板 VBUS 电源电压、然后将其重新连接到不同的电压、我正确地看到了中反映的输入电压的变化 对该眼图进行建模 (同样、也考虑到3.2V 直流偏移、比新的输入电压低1.28V)。

但我似乎无法覆盖这些值。 我尝试过覆盖它们 配置 VBUS 连接到输入电压以及断开时的电压。 之前的值在寄存器中保留。 在极少数情况下、我的写入操作会将该寄存器复位为0、但这在确定性方面是不可重复的。 现在、我看到 VINDPM 寄存器支持 R/W、并且数据表中也有这个明确的声明:   "主机始终可以根据输入源类型在充电器上电后对输入电流和电压限制进行编程。"

是否还有其他写入条件必须满足 对该眼图进行建模 注册? 这是我唯一遇到困难的寄存器、其他寄存器没有问题。

此致、

Cristian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Cristian:

    您是否正在使用最新版本的 bqStudio?

    此致、

    雅各

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    不可以、我们正在使用自己的定制电路板、并且我们在 BQ25730和 STM32G 微控制器之间具有 I2C 连接。

    当然、我意识到您可能不知道定制设计的所有可能的故障模式、但我想、我需要的是、如果您知道写入 VINDPM 寄存器的任何先决条件、那就会使它与所有其他寄存器区分开来。

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    你好,雅各,实际上,你的回答使我走上了正确的道路。 我手里拿着 EV2400、它是相邻部门提供的、我能够通过 BQStudio 连接到我们电路板上的 BQ25730。 就像使用 BQStudio 一样、可以写入 VINDPM 寄存器。

    因此、我怀疑我们的微控制器中通过 I2C 与 BQ25730进行通信的软件存在错误或其他问题。 我们将对此进行研究。

    感谢您的帮助!

    此致、

    Cristian