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器件型号：BQ34110 主题中讨论的其他器件： BQSTUDIO、 EV2400
你好团队，
我当前在使用 BQ34110器件时遇到问题、无法使用外部微控制器的 I2C 接口写入数据闪存。 最近、在我的一次数据闪存写入过程中、我可能写下了拼写错误、导致我无法再写入数据闪存。 不过、我仍然可以从它读取。
我已经注意到、在写入地址0x4010 (分压器)和0x4100 (Chg Inhibit Temp Low)之间、我失去了写入功能。 具体来说、我可以写入0x4010地址、但无法写入0x4100地址。
OperationStatus 寄存器位 SEC1和 SEC0分别为0和1、并且 CALMD (校准模式)位为1。 因此、电压条件(Voltage ()≥Flash Update OK Voltage)不应影响写入。
我已经仔细检查了校验和计算、我认为是正确的、因为我以前能够成功写入数据闪存。 但是、现在如果使用相同的序列、我无法再进行写入。
我怀疑可能有一个包含标志或位的状态寄存器会阻止我写入数据闪存。 如果有人有关于此类登记册或任何其他可能导致此问题的潜在问题的信息、我非常感谢您的意见。 非常感谢为解决此问题和重新获得对数据闪存的写入访问权限提供任何建议或指导。
此致
詹姆斯·曼
