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[参考译文] TPS62913-IBB-EVM:有关输出电压直流压降的问题

Guru**** 663810 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS62913
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1232794/tps62913-ibb-evm-question-about-vout-dc-drop

器件型号:TPS62913-IBB-EVM
主题中讨论的其他器件:TPS62913

您好!

我的客户正在根据以下条件评估 TPS62913-IBB EVM

VIN=12V、Vout=-1.6V Iout=2.6A、从第二 级 L-C 滤波器后更改了 FB

在这种))下、观察到了大约40mV 的 Vout 直流压降(在 Cout(C17 μ F 处测得

造成这种直流压降的可能主要原因是什么?

我认为 来自第二 级 L-C 滤波器后的 FB 可以避免这种直流压降。

谢谢。

开始吧

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    TPS62913具有两个反馈环路。  Vo 是初级 LC 滤波器之后的交流反馈环路、FB 是放置在铁氧体磁珠滤波器之后用以补偿直流损耗的直流反馈环路。  IBB EVM 可配置为在任一点连接 FB、并且可以调整输出电容器的数量以实现稳定性。

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    您好、Steve

     非常感谢您为 TP62913IBB 提供的帮助!

    请允许我确保我对您下面的评论的理解是正确的。

    "可以配置 IBB EVM、以便 FB 在任一点连接。"  

    这是否意味着当我们使用  铁氧体磁珠滤波器后的 FB 时、我们需要在下面的点切断 VO 线?  

    此致、

    开始吧

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    大家好、我觉得 Steven 的意思应该是、在当前 EVM 设计中、在磁珠之前、会同时感应到 Vo 和 FB、因此该磁珠上会产生一定的 I*R 压降。 通常、对于两个 L-C 级、在磁珠之后放置 FB、以补偿磁珠的压降。

    如果两级应用把 R5改为 R12、Vout 仍然有40mV 的压降、可能是 因为磁珠引起的 FB 和 IC 基准差异有关、让我们进行内部审查、尽快给大家反馈。

    宇昌市

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    您好、Yudchang

    感谢您的评论。

    "如果在两级应用中将 R5更改为 R12、并且 Vout 仍具有40mV 的压降、"
    →是的、我的客户已经将 R5更改为 R12、但  Vout 仍然具有40mV 的压降。

    非常感谢您能给我您的评论结果。

    谢谢。

    开始吧  

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    大家好、

    如果有答案、裕昌将向您通报最新情况。

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    好吧、铁氧体磁珠的 DCR 似乎使负载调节更差、使用较小的 DCR 是一种改进的方法。

    我认为另一种方法是客户可以将标称 Vout 提高一点、以补偿稳压下降。

    宇昌市

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    您好、Yudchang

    感谢您的评论。

       在这种情况下、这是否意味着在磁珠之后它超出了 TPS62913的直流补偿容量?

    谢谢。

    开始吧

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    是的、执行、因为滴落与铁氧体磁珠的 I*R 引起的基准有关。

    宇昌市