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您好!
我的客户正在根据以下条件评估 TPS62913-IBB EVM
VIN=12V、Vout=-1.6V Iout=2.6A、从第二 级 L-C 滤波器后更改了 FB
在这种))下、观察到了大约40mV 的 Vout 直流压降(在 Cout(C17 μ F 处测得
造成这种直流压降的可能主要原因是什么?
我认为 来自第二 级 L-C 滤波器后的 FB 可以避免这种直流压降。
谢谢。
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您好!
我的客户正在根据以下条件评估 TPS62913-IBB EVM
VIN=12V、Vout=-1.6V Iout=2.6A、从第二 级 L-C 滤波器后更改了 FB
在这种))下、观察到了大约40mV 的 Vout 直流压降(在 Cout(C17 μ F 处测得
造成这种直流压降的可能主要原因是什么?
我认为 来自第二 级 L-C 滤波器后的 FB 可以避免这种直流压降。
谢谢。
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大家好、我觉得 Steven 的意思应该是、在当前 EVM 设计中、在磁珠之前、会同时感应到 Vo 和 FB、因此该磁珠上会产生一定的 I*R 压降。 通常、对于两个 L-C 级、在磁珠之后放置 FB、以补偿磁珠的压降。
如果两级应用把 R5改为 R12、Vout 仍然有40mV 的压降、可能是 因为磁珠引起的 FB 和 IC 基准差异有关、让我们进行内部审查、尽快给大家反馈。
宇昌市