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[参考译文] UCC5350-Q1：在电机控制应用中通过自举电源使用 UCC5350的高侧 SiC MOSFET 的 Vgs 波形

admin
Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5350, UCC21551
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1230233/ucc5350-q1-the-vgs-waveform-of-high-side-sic-mosfet-using-ucc5350-by-bootstrap-power-supply-in-motor-control-application

器件型号：UCC5350-Q1
主题中讨论的其他器件：UCC5350、 UCC21551

大家好

我正在 PMSM 控制应用(600Vdc 输入)中测试用于 SiC 驱动器的 UCC5350。

我使用自举方法为高侧 UCC5350供电。

Vgs 的波形有点奇怪、它在开启时电压过冲（约3.5V）、而在关闭时为负瞬态。

我使用 Tekronix 的高压差分探头(TMDP0200)进行 Vgs 测量。

这是一种正常现象、还是我的测试过程有什么问题？

此致

箭头

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Arrow、

    您的波形看起来非常接近正确、但开关边沿确实看起来有点异常。 造成这种情况的原因可能包括：

    1. 探头损坏

    2.未补偿的探针

    3.探头带宽不正确

    4. PCB 上的栅极电感环路过大

    5.栅极环路的容性负载

    6. PCB 上的组件损坏

    如果您有更多原型、我建议测试多个电路板、看看这在不同电路板上是否相同、从而帮助缩小根本原因。

    此致、

    不要

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    TI__Guru**** 657500 points
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    你(们)好

    我发现探头对测试结果有很大影响。

    CMRR 对高侧 SiC MOS 的 Vgs 监测是否重要？

    我使用两个差分探头、一个用于 Vgs，、另一个用于 VG（、具有较短的正负线夹)。

    当 SiC 开关时、单个 VG 点也有纹波。

    如果我使用 Vgs-VG 作为新波形、它合理很多。

    没有任何其他方法来测试 Vgs。 光纤隔离探头似乎非常昂贵。

    此致

    箭头

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Arrow、

    是的、由于存在较大的失调电压并尝试测量600V 之上的15V 信号、因此很难实现。

    这有一些很好的建议- https://www.eevblog.com/forum/projects/how-to-probe-high-side-mosfet-gate/msg3088297/?PHPSESSID=4oae39abudcabca4pus5vmjs56#msg3088297

    您也可以租用或借用其中一种光学隔离探头。 这些正是我们在实验中使用的。

    此致、

    不要

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Don

    还有一个关于高侧驱动器自举结构的问题。

    我以 UCC21551数据表中所示的自举结构为例、如图10-1和图10-2所示。 我对 SiC Mos 的负偏置电压使用 VZ。

    我认为 VZ 将执行2种状态、一种是低侧导通时进行正向导通 、另一种是高侧导通时进行反向钳位

    那么、这会限制死区时间吗？

    齐纳二极管不是快速恢复二极管、它的 TRR 比自举二极管大。

    如果我将死区时间限制为1us、齐纳二极管会发热吗？

    此致

    箭头

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好 Arrow、

    很抱歉这么晚才回复;昨天是美国的假日。 Don 也在办公室外、因此我要将该线程分配给其他人。 他们应该能够在明天之前回复。  

    谢谢。

    Alex M.  

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Arrow、您使用的是什么二极管？ 我认为没关系、因为1us 是一个相当长的死区时间。 您使用的二极管的 TRR 是多少？

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    TI__Guru**** 657500 points
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    大家好、Krystian

    我将1SMA5913BT3G 用作齐纳二极管、TRR 似乎不在规格范围内。

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/1SMA5913BT3_2D00_D.PDF

    此致

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    TI__Guru**** 657500 points
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    我会建议对其进行测试、但1us 具有较长的死区时间、我不希望齐纳二极管在开关期间过热。

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    TI__Guru**** 657500 points
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    死区时间[/报价]

    大家好、Krystian

    我将测试 Deatime 设置。 目前、我发现不同的死区时间将产生不同的自举电压。

    在2us 死区时间内的自举电压将高于1us 内的电压。我将关闭该线程并进行更多测试。

    如果遇到另一个问题、我将打开一个新主题。

    此致

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