[参考译文] UCC21222：输出 A 和 B 通道是否可以由单个电源(通用+12V 和 GND)供电？

大家好，Krystian，我们的 H 桥设计是基于高侧 P 通道 MOSFET 的电路连接。 它取自这个应用。 请注意 https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-P-channel_MOSFETs_for_switching_applications_selection-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420380cc13101b

 在之前使用  STM 中的 L6498D 半桥驱动器的原型中、我们已经使这种布置运行良好、但我们想将其替换为 UCC21222、以便从隔离式输入获益、并使用死区时间插入。

我们的高侧和低侧 MOSFET 的栅极直接由 UCC21222的 A 和 B 输出驱动。 如您所见、高侧和低侧 MOSFET 都以同一接地端为基准(这就是使用 P 沟道来实现高侧的优势)。

同样的问题是、UCC21222是否允许连接两个输出通道的电源轨。

https://photos.app.goo.gl/VvXDA6VqNMHYJwuz5

很显然,我点击了"回复"我的原始邮件,而不是你的,抱歉

我 决定在此寻求帮助、因为我们的新 H 桥 在首次上电时被烧毁。 MOSFET 的所有 p-n 通道都烧过，所有引脚之间的电阻为0！ (以前从未有过这种情况)。 检查所有内容与以前工作原型相比、唯一的"新颖性"是使用 UCC21222 (所有 MOSFET 电路与以前相同)

与 L6498D 不同的 是、TI 的 UCC21222具有用于两个输出通道的独立隔离式电压轨。这让我觉得将两个输出电源轨连接到此芯片是否合法、尽管数据表未显示有任何关于此类使用的信息。

尊敬的 Vlad：

我仍在研究此内容、我将很快根据我的反馈更新我的消息。

编辑、  

从技术上讲、UCC21222的2个通道可以由一个电源供电、这样做不会有问题。 但在半桥中、低侧 FET 端子通常位于 VSSB 和 VSSA 之间、因此您可以看到将 VSSA 和 VSSB 连接在一起会导致低侧 FET 短路的问题。 在 AppNote 你链接,半桥确实是不同的,并可能解决这个 senario。 只要您承受这种情况不会导致半桥短路、将两个通道连接到1个电源就没有内在的问题。 我认为如果我能看到原理图就更好了。 但是根据我的看法、这看起来是可行的。

此致

Krystian

尊敬的 Krystian：

以下是描述半桥的原理图片段的图片：

https://photos.app.goo.gl/BppzhATudpymqwFB9

您可以看到、输出 A 和 B 与公共接地共分开了20千欧。

因此、您确认这是使用 UCC21222驱动器的正确方法。

还请确认、此处的 DT 设置肯定会防止在 INA 和 INB 意外重叠时发生击穿。

如果您确认这两种说法、即我们的不幸不是由此芯片而是由其他原因造成的 MOSFET 吹扫。

谢谢！

法拉德

感谢 Krystian、我从您那里获得了许多有用的信息。 实际上、我需要观察反相 FET 引入的高侧 MOSFET 到导通的转换延迟、并将其纳入死区时间计算(除了我在固件中生成的死区时间延迟)。

不过、您建议使用自举电源并不适用于我们的项目。 我从这个方案开始开发、因为大多数 TI 制造的栅极驱动器都采用这种方法、并且 TI 提到的大多数应用也仅涉及这种方法、但我的设计不使用 PWM、PWM 对于 N 通道高侧 MOSFET 设计的使用至关重要。 如果 PWM 适用于我们的项目、我会从专门针对此类栅极驱动器的众多密切相关的 TI 产品中选择一款。

到目前为止、我正在探究 MOSFET 最近的爆炸原因、以找出故障的 P 沟道 MOSFET 批次(碰巧是一批来自中国的克隆、而不是我们在之前原型中使用的慕斯原型)。 这些 MOSFET 还包含 与 H 桥无关的其他模块。 与 UCC21222无关的问题。

对于任何 H 桥控制不是基于 PWM 的项目来说、UCC21222看起来都是一个梦想成真的情况、而且我们很幸运这些芯片仍然可以使用：))

再次感谢您、

法拉德