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器件型号:TPS7A83A BU 团队、您好、
PMOS 低压降稳压器的基本原理 表示、大多数 LDO 是 PFET 结构。 但为什么呢? 对我来说、NFET 的导通电阻比 PFET 更低。
那么 NFET LDO 和 PFET LDO 有哪些用途呢?
PFET LDO 的哪些优势使 PFET LDO 比 NFET LDO 的使用更广泛? 谢谢。
此致,
查理
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BU 团队、您好、
PMOS 低压降稳压器的基本原理 表示、大多数 LDO 是 PFET 结构。 但为什么呢? 对我来说、NFET 的导通电阻比 PFET 更低。
那么 NFET LDO 和 PFET LDO 有哪些用途呢?
PFET LDO 的哪些优势使 PFET LDO 比 NFET LDO 的使用更广泛? 谢谢。
此致,
查理
您好、Charlie。
以下是另一篇 e2e 文章的链接、该文章讨论了两种架构之间的差异。
主要取决于输出电压。 NMOS 通常在低 VOUT 下具有更好的性能、PMOS 通常在高 VOUT 下具有更好的性能。
NMOS 确实有一个重要的缺点、即它们通常需要偏置电压轨、但由于它们是低输入/输出电压运行、这意味着必须引入电荷泵、这是一个噪声和成本的问题。
John