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器件型号：BQ79606EVM-897 我已使用 BQ79606AQ1芯片以及电池1和某些电源滤波电容器周围的某些 EVM 元件。 我认为这个问题与芯片数据表的第9.2.1.2.6节 Cb 输入中所述的问题有关、该节规定：
Cell Balancing 输入通过平衡电阻器连接到内部平衡 FET。 电阻器设置平衡电流。 如果不使用 CBN、则将其连接到 VCn。 CB 引脚不得连接到预期低于建议运行条件的电芯电压(模块连接器)。 在反向电压条件下、内部 FET 二极管将导通、并可能损坏 FET。 CB0在任何情况下都不能保持悬空。 如果与 CELL1负极端子的连接断开、IC 偏置电流将流经 CB1/VC1引脚、然后流向 CELL2负极模块端子、导致 CB1和 VC1引脚降至相对于引脚 AVSS 的建议最小电压以下。 这违反了器件规格。 如果模块连接器的接地引脚可以悬空而其他模块端子仍处于连接状态、建议在 CB1和器件 GND (AVSS)之间添加一个肖特基二极管、以确保 CB1和 VC1引脚电压不违反绝对最大限值。
尽管我已按照规定添加了肖特基二极管并确认这可以防止问题过去发生、但我认为问题再次发生、我想说明在出现故障的情况下、这是如何实现的：
- 电池有6个电池、并连接了跳线 J2和 J3以使用电池作为芯片的电源。 SW2的电阻梯开关全部关闭。
- 电池1-5的导线连接到 EVM J1连接器、电池6端子悬空。 请注意、到目前为止尚未进行电池侧连接。
- 通过连接电池侧输入连接器、电池1-5全部立即连接到 EVM。
- 大约30秒后、有烟雾、电池侧的电芯断开连接。 请注意、在建立连接后芯片预期不会运行、因为通过 J8控制芯片运行的 MCU 一直都处于断电状态。
- 电阻器 R34、R35和 R28损坏、R34被切成两半、R28射击超过20k 欧姆。
- 电容器 C4、C5、C9-11、C40和 C55 也已损坏、需要更换。
- J1单元0端子到 J3的 EVM 接地短路的导体已剥离绝缘层并切断。
我强烈怀疑第9.2.1.2.6节中描述的问题是由于最低电压电池周围的电阻器和电容器损坏、该损坏不会在除电源滤波电容器以外的任何其他地方被复制。 损坏包括来自 CB1和 VC1电路的外部元件。 尽管有肖特基二极管、但为什么保持电芯6悬空并立即连接电芯1-5会导致此问题？
