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[参考译文] CSD19532Q5B：有关 ISD 的问题

admin
Guru**** 2392905 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1332466/csd19532q5b-question-about-isd

器件型号：CSD19532Q5B

您好、团队成员：

我对 CSD19532的 ISD 规范有疑问。 我已在以下链接中提及以了解 ISD

https://www.ti.com/lit/pdf/snvaa86

ISD 受最大 P_DIS 的限制。 因此、如果 FET 消耗更多功率、ISD 规格将增加。 这似乎与封装有关。 封装类型是否比 VSON 在功率耗散方面更好？

此致、

奥斯汀

  • 0
    TI__Guru**** 2392905 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Austin：

    谢谢咨询。 请参阅以下链接中的技术文章、了解我们 FET 封装的最大功率容量。 5x6mm SON 封装的最大功耗约为3W。 具有更高功能的封装唯一的其它封装是 D2PAK (KTT 器件型号后缀)和 TO-220 (KCS 器件型号后缀)。 D2PAK 的最大功耗约为4W、使用散热器时 TO-220能够实现5W 或以上。 本文中的最大功率耗散数值是客户系统的估算值和实际性能、这很大程度上将取决于 PCB 布局以及层叠和环境条件(防篡改和空气流量)。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

    https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZT389

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用