主题中讨论的其他器件:LMG1205、、 LMG1020
您好、TI 专家!
有没有比 LMG1205或 LMG1210多级混合转换器 PCB 设计更快的5V (商用 TI)栅极驱动器? 我觉得上升/下降时间和延迟超过10ns。 感兴趣的 FSW 范围是500kHz 到2MHz、您可以建议延迟小于10ns 或5ns 并具有快速上升和下降时间的栅极驱动器吗?
谢谢
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您好、TI 专家!
有没有比 LMG1205或 LMG1210多级混合转换器 PCB 设计更快的5V (商用 TI)栅极驱动器? 我觉得上升/下降时间和延迟超过10ns。 感兴趣的 FSW 范围是500kHz 到2MHz、您可以建议延迟小于10ns 或5ns 并具有快速上升和下降时间的栅极驱动器吗?
谢谢
您好!
感谢您的联系。 查看 LMG1210的数据表 (第6.6节"开关特性")、可以看到以下上升和下降时间:
大多数情况下、最长上升和下降时间应完全低于您期望的10ns。 在使用 GaN 栅极驱动器时、布局至关重要、并且布局中可能有一些因素会改变性能、例如通用布局、栅极电阻、FET 栅极电荷等。
首先、您能否用其它版本替代 LMG1210、看看效果是否可以复制? 如果有任何其他问题、请告诉我。
谢谢。
耶利米
大家好、Jeremiah、
1)。 您刚才提到了常见的 GaN 栅极驱动器、您是说 LMG1210是一款 适用于 GaN 电源开关的 SI-MOSFET 栅极驱动器吗? 适合 GaN 电源开关的基于 GaN 的栅极驱动器? 混合栅极驱动器还是 GaN/Si 混合栅极驱动器?
2)。 我将继续使用 LMG1210、您能否通过通用布局为进行寄生 RLC 提取提供一些指导? 我想提取/估计栅极电阻/电容、引线电阻/电感。 然后、使用寄生元件模拟栅极驱动器、以降低延迟。
谢谢
您好、Hua:
1)。 您刚才提到了常见的 GaN 栅极驱动器、您是说 LMG1210是一款 适用于 GaN 电源开关的 SI-MOSFET 栅极驱动器吗? 适合 GaN 电源开关的基于 GaN 的栅极驱动器? 或用于 GaN 电源开关的 GaN/Si 混合栅极驱动器?[/quot]LMG1210是由专为驱动 GaN FET 而设计的器件制成。 该器件内部根本没有任何 GaN。 很抱歉耽误你的时间。
[/quote]2)。 我将继续使用 LMG1210、您能否通过通用布局为进行寄生 RLC 提取提供一些指导? 我想提取/估计栅极电阻/电容、引线电阻/电感。 然后、使用寄生元件模拟栅极驱动器、以降低延迟。 [/报价]我建议阅读"针对激光雷达应用优化栅极驱动器布局"。 而是针对激光雷达、但这往往是具有一些更严格时序要求的终端设备、因此许多信息都是相关的。 此外、"优化数兆赫 GaN 驱动器设计"中有一些应有所帮助的特定 LMG1210信息。
就寄生效应而言、我建议首先绘制导通和关断环路。
我无法分享有关 LMG1210键合线电感的数据、但我希望该电感大约为 nH 或更低。 如您在该环路中所见、旁路电容器回路和栅极驱动回路都是重要的影响因素。 一种有用的方法是使用馈通电容器来降低电感。
最后、LMG1210是我们产品系列中的最快半桥驱动器。 我唯一看到的另一种选择是 LMG1020 +分立式隔离器/电平转换、但我不确定是否有人采用这样的设置击败了 LMG1210。 作为 BGA 封装、LMG1020没有键合线、但可实现更低的电感、在非常高的频率下可提供很大帮助。
谢谢。
A·M·