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[参考译文] BQ40Z50:防止在不同情况下电池过度放电。

Guru**** 2595770 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1327319/bq40z50-preventing-excessive-battery-discharge-in-different-scenarios

器件型号:BQ40Z50

您好  

我们在具有3种电池放电可能场景的应用中使用 BQ40Z50

1:如果电池存放很长一段时间(周)、电池放电可能非常缓慢、DSG FET 关断 NR = 0

2: 如果长时间空闲、电池组可以缓慢放电。 (小时) DSG FET 导通。

3:在高负载(几分钟) DSG FET 导通的情况下、当处于活动状态时、电池组可以快速放电。

理想情况下、我们不希望在任何模式下电池单元的放电都低于3伏。  

 当器件在高负载下处于工作模式时、3V CUV 阈值会导致出现问题、因为电压可能会在一段时间内下降到远低于该阈值、但当负载停止时、电压会反弹。

读取 TRM 似乎是在保持活动模式的同时终止放电的唯一方法是 CUV 或 CUVC 吗?  

我希望获得一些有关如何设置阈值的建议、以便它们适用于场景2和3。  

我还想了解在情况1中、当 DSG FET 已关断时尽可能减少进一步放电的理想方法。

此致

伊恩

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    尊敬的 Ian:

    对于情况1、您可以将器件置于睡眠模式。

    请允许我与我的团队就处理您的申请的最佳方式达成一致。

    此致、

    埃文

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    尊敬的 Ian:

    很抱歉耽误你的时间。

    一旦达到 CUV 阈值、FET 将断开、这对于情况2而言应该是正常的。

    对于情况3、您需要调整 CUV 延迟。

    此致、

    埃文

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    谢谢 Evan

    是的、这是我在配置中执行的操作、您已向我确认这是正确的方法。

    我提出这个问题的原因是、在 TD 位的设置上没有关闭 DSG TC 的配置选项似乎很奇怪、尤其是当在充电模式下有一个使用 DSGFET/CHGFET 位来执行此操作的选项时。  

    这是有原因的吗?

    此致

    伊恩