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[参考译文] UCC21750:DESAT 检测阈值和电容器充电电流值的变化。

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1326913/ucc21750-the-variations-in-the-desat-detection-threshold-and-capacitor-charge-current-values

器件型号:UCC21750

我正在设计栅极驱动器、我有一个简短的问题。

我们是否应该使用技术文档中的"检测阈值"和"电容器充电电流"的典型值?

如果我错了、请更正我、但我认为这些值的变化是由温度引起的。 不过、当计划在50度结温下正常运行时、我应该考虑哪些值?

我的担忧源于计算结果中的潜在差异。 μS、最小和最大"电容器充电电流"值之间可能存在0.7 μ A 的差异。 或者、作为另一个示例、最小和最大"检测阈值"之间存在1伏的差值、这可以转换为我正在使用的2MBI150VA-120-50 IGBT 的电流差为100A-150A。

您能帮助澄清一下我对此事的困惑吗?

此致、

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    您好!

    感谢您在 E2E 上发帖。

    数据表中提供的容差考虑了器件间和温度变化。 换言之、最小值和最大值是各自温度下的最坏情况。 对于预期结温为50C 的应用、我建议使用典型值进行计算。

    我还想指出的是、除了这些值的容差外、您的系统本身的设计将对全部短路瞬态(过流幅度、di/dt、导致的过压、dV/dt 等)产生巨大影响。 和检测时间。 因此、必须使用数据表中提供的公式来计算 DESAT 电路、但必须通过运行短路/过流测试在最终系统中进行微调。

    我要说明的最后一点是、与 SiC MOSFET 等其他技术相比、通常 IGBT 是一种更宽容的短路保护技术。 短路电流幅值可快速超过数百安培、IGBT 通常能够承受较长时间的短路瞬态(我看到的是3us-10us)。 我强烈建议您联系 IGBT 制造商、了解有关短路耐受能力的更多信息、这些信息似乎未包含在您提供的器件型号的数据表中。

    此致、

    安迪·罗布勒斯

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    您好!

    感谢您的快速响应。

    在您的回复中、您提到了"检测阈值"和"电容器充电电流"值可能因元件而异。 当然、我知道同一模型中的相同元件在实际设计的各个方面可能并不完全相同、例如输出电阻的微小变化。 但出于实际目的、我们通常忽略这些可忽略不计的变化。

    不过、如果 图中显示的值变化 表示  组件到组件的最小和最大值、这是否意味着我们需要对每个生产单元重复执行去饱和测试?

    我现在提出这个问题、但最有可能的是、我将根据典型值进行计算、并根据实际响应进行调整。 然而,我担心的是重复作品价值的变异性。 我想知道这些"检测阈值"和"电容器充电电流"值变化的主要原因。 例如、如果是环境温度、如果可以、我还想知道值会随着温度的升高而变化的方向。

    非常感谢您的支持。

    此致、

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    您好、Harun、

    我们对这些参数进行测试、以在每个温度下生成标准偏差曲线、其中25°C 为典型值。 热和冷的6 sigma 外围限值就是数据表中提供的最小值和最大值。 换言之、最大的变化差值是由温度造成的。

    此致、

    安迪·罗布勒斯

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    Andy、您好!

    感谢你的帮助。

    如果我误解了、请更正我、那么温度的增加将导致"检测阈值"和"电容器充电电流"值移至最小值。

    此致、

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    您好、Harun、

    在我们的数据表中、我们提供了关键参数的温度图、以便您能够看到不同温度下的趋势。 对于 UCC21750、它是部分 6.12典型特性

    在 UCC21750数据表的该部分中、您可以找到 DESAT 阈值与温度间的关系(图6-24)和充电电流(图6-29)图。 这些图表使用每个温度(-40°C、25°C、125°C 和150°C)下每个参数的均值来显示不同温度下的典型特性。

    随着温度的升高、DESAT 阈值和充电电流都接近最大值。

    此致、

    安迪·罗布勒斯

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    Andy、您好!

    非常感谢您的帮助。

    此致、