This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5117:连接负载时 Vout 下降

Guru**** 2524460 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1323478/lm5117-vout-drops-on-connection-of-load

器件型号:LM5117

您好、TI!  

当我在电压缓慢升回30.6V 后断开负载时、我很难了解导致输出电压从30V 下降到0V 的原因。 我的 Vin 为36V。  

volatge mesaurements. UVLO 引脚- 4.6V、SS 引脚4.5V、电阻为0V、FB 0.8V 斜坡0V。 负载连接后的  UVLO 引脚- 4.6V、SS 引脚0V、RES 0.6V、FB 0V 斜坡0V。

下面 SW 节点 SW 上的情况

黄色表示高侧开关、蓝色表示低侧开关  

请告知我下一步操作

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Nasser

    转换器似乎根据 RESpin 电压测量进入间断模式保护。   请检查这些项目。

    • 请下载"快速入门"、并将您的组件选择与"快速入门建议"进行比较
    • C12大于典型值。 请尝试100pF
    • 请检查该设计是否足以覆盖 VIN 和 IOUT。    

    - EL

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Eric、您好!  

    请您引导我,我如何能确认死区时间通过 VIN 和 Iout ?

    另外、你认为我的附加布局会帮助解决这个问题吗? 是到离 conroller 很远的 Rs 的距离。  

    我已经附上了我的计算器值,我可以确认,我放置的所有组件都是相同的,除非对于非标准值,我把最接近这些值。  

    e2e.ti.com/.../confirmed-values.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Nasser

    请使用两个差分 探头、一个测量高侧 MOSFET 的栅极和源极连接之间的电压、另一个测量低侧 MOSFET 的栅极和源极连接之间的电压。 请确保传播延迟匹配。   

    您需要在高侧 MOSFET 的漏极和 RSENSE 的接地连接之间安装一个 SMD 陶瓷电容器、以使开关环路尽可能小。  

    请将 C12尽可能靠近 IC 放置  

    GND 布线太细...

    请检查您的组件值。 您使用的是22uH、而快速入门中的组件选择是100uH。  

    - EL

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Eric、您好!  

    不幸的是,对我来说,我不 th 有差分探头来执行您最后建议的测试。  

    但是、我设法解决了该问题。 我焊接一个电解电容器和陶瓷、接近 Vout 行标题至芯片的反馈配置、如下所示、我能获得芯片的稳定性能  

    以下是在负载为70瓦(30.6V 输出电压和2.57A)时对其进行加载的时间

    然而,我后来有它烧了,当我连接了一个电池充电,我想它是因为它目前在 CV 模式和电池是锂