[参考译文] BQ25790：瞬时大电流消耗的 VSYS 压降

您好、Hayashi：

这是目前在美国的假期。  我们将在一周内与您联系。

此致、
E·加洛韦

尊敬的 Ethan：

新年快乐！ 有任何更新吗？

此致、

林市

您好、Hayashi：

内部 BATFET 的体二极管一直将 SYS 钳制在不低于一个低于电池电压的二极管压降的水平上。  如果瞬态负载由于 SYS 负载所需的功率超出输入可提供的功率而导致 IINDPM (输入电流钳位)或 VINDPM (输入电压钳位)、则 V (SYS)会降至 V (BAT)、如下所示：

高于 MINSYS 时、SYS 上的瞬态响应如下所示：

所以、当充电器处于 MINSYS (电池电压低于 MINSYS)但不进入 DPM 时、您需要瞬态响应吗？  如果可以提供测试条件(VBUS、VBAT、MINSYS、ISYS、IINDPM、 VINDPM)我可以生成瞬态图。

此致、

杰夫

尊敬的 Jeff：

我希望您对 VBAT<VSYSMIN 的条件进行如下仿真

VBUS = 5.0V、VBAT = 6.5V、VSYSMIN = 7.2V (2节电池系统)、ISYS = 0.6A -> 3A/1ms、IINDPM = 1.5A、VINDPM = 4.0V

此致、

林市

尊敬的 Jeff：

我明白 BQ25790 BGATE 响应有助于尽可能减少 VSYS 压降。 客户尝试实际评估。 如果客户希望在 VSYS 压降时添加保护、可以考虑哪种解决方案？

此致、

林市