[参考译文] TPS53319：消除辐射发射

Thariq CP 

内部-46MHz 区域的发射通常来自开关节点(LL 引脚)的谐振、此开关节点在承载负载电流的同时在0V 和18V 之间快速切换。

遗憾的是、您的现有原理图似乎未包括我们通常用于缓解此噪声的元件。

1)将电容器放置在靠近 VIN 和 GND (外露焊盘)且具有尽可能低的串联电感的位置可以有效地降低能量。  测量开关节点的振铃频率、并选择自谐振频率尽可能接近振铃频率的电容器。  对于35 -46MHz、我可以看一下采用0402封装的10nF 至47nF 电容器。  这些电容器通常具有100-400m Ω 的 ESR 并具有自阻尼功能。

2) 2)添加一个与 C525串联的1 -4.7Ω 电阻会减慢高侧 FET 的导通速度、这也会减少激励谐振的能量以减少振铃。  电阻越高、减少的越多。  高于4.7Ω 可能会导致高侧驱动器"夹紧"并引入额外的问题、因此应该避免这种情况。

3) 3)从 LL 到 GND 的 R-C 缓冲器可以帮助吸收和消散开关节点处产生的任何谐振能量。  通常、电容器值在1-4.7nF 范围内、电阻器值在1 -3.3Ω 范围内。  最佳值取决于电容和电感等布局寄生效应。  我附加了一个电子表格、可指导您完成测量并优化值。

e2e.ti.com/.../2642.Snubber_5F00_Calculations.xlsx

4)由于3m 处的辐射发射强度将取决于承载能量的板上的天线尺寸、因此将能量包含在尽可能小的区域也会有所帮助。  这显然需要在 TPS53319上考虑一些布局注意事项。

1. 保持开关节点(LL 引脚到电感器)的面积尽可能小。  避免像90度这样的尖角。  尽可能在45度或圆角处倒角。
2. LL 网络应在电感器端子上方、但不应延伸到电感器端子上方。
3. LL 网络不应比电感器端子更靠近 VOUT、以避免增加 LL 和 VOUT 之间的电容耦合。
4. 如果 GND 网靠近 LL 网、尤其是电感器下方有 GND、则必须用一组过孔拼接到 GND 平面。  具有长布线到接地平面最近过孔的"悬空"接地将用作产生高频噪声的导体、而不是屏蔽层。
5. 在电感器的 VOUT 端子处添加几个0402陶瓷电容器、自谐振频率与 LL 谐振频率相匹配、有助于将该噪声立即传回地面、从而更大限度地减小辐射天线面积。
6. 输出电容器布局(VOUT 在电容器两侧接地以及多个过孔与接地平面之间流动)也有助于降低 VOUT 网络的高频阻抗、并将高频噪声传导到接地端、从而提高性能。

希望这应该能为您提供有关如何改进辐射发射的指导。