[参考译文] TPS22810：输入电容&gt；输出电容要求？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1323600/tps22810-input-capacitor-output-capacitor-requirement

器件型号：TPS22810

我有一个系统、该系统通过发送到 MOSFET 栅极的 PWM 信号间歇性运行电流、以控制几欧姆负载的温度。我在附近放置了一个大电容器、以便电压保持稳定。我正在考虑使用 TPS22810来减小电路最初连接到电源时消耗的浪涌电流。

但是、我对数据表的10.4节感到困惑、其中建议输入电容器的大小为输出电容器的10倍。如果我需要使用较大的输入电容器、它会使我使用 TPS22810的原因无效。

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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您好、Adam、

为了精确地减少高浪涌电流对输入的影响、建议使用这样的大电容器。对于您的应用、不需要大输入电容器。

谢谢。

帕特里克

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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感谢您的答复 Patrick 但是数据表中关于流经体二极管的问题呢？

10.4

由于 NMOS 开关中集成了体二极管、因此强烈建议 CIN 大于 CL。当移除系统电源时、大于 CIN 的 CL 可能会导致 VOUT 超过 VIN。这会导致电流从 VOUT 流向 VIN 的体二极管。建议采用10：1的 CIN 与 CL 之比、以便尽可能减少启动期间由浪涌电流引起的 VIN 骤降；但是、电容不需要10：1的比率即可使器件正常运行。由于浪涌电流、小于10：1的比率(例如1：1)可能会在导通时导致稍多的 VIN 骤降。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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您好、Adam、

是否会完全移除输入电源？如果将输入拉至 GND、则一些电流会流回体二极管(取决于加热器电阻)。但是、如果不在 VOUT 为高电平时移除输入电源、则这不是问题。

谢谢。

帕特里克

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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是的、这是可能的。它将位于卡架中并可能被拉动。最有可能的情况是、EN 也将同时变为0。我当时计划使用适当的小 QOD 电阻器、但不确定放电是会发生还是在这种情况下很快发生。

我还要补充一点、由于输出电容很大、QOD 频率不是很快。我不能仅使用内部电容器(200uF Cout 限制)、因此输出放电将是数十毫秒。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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您好、Adam、

这里要考虑的另一点是、如果电路板被拉动、VIN 会悬空吗？还是会有强下拉电阻？

如果该引脚将悬空、则缓慢放电不会成为问题、因为从 VOUT 到 VIN 的电流不会很大或持续。但是、如果 VIN 与 GND 建立了牢固的连接(瞬时>1A)、那么可能需要使用输入电容器或 PMOS 作为额外的 QOD。

"你怎么知道的?

谢谢。

帕特里克

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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我不是专家、因此可以随意更正我。

嗯... 我认为输出电容器是电路板上迄今为止最大的能量源。所以我认为输入侧放电会更快。我很乐意添加下拉电阻、但它们需要有多大？它们需要非常小才能使电容器快速放电。如果~250欧姆，我将使用>0.5W 的连续功率。

如果将外部二极管连接 Vout 重新添加到 Vin、情况会怎样？这样、我就不会依赖/冒着体二极管的风险。

我不清楚如何将 PMOS 用作 QOD。如果我将 VIN 连接到栅极、将 VOUT 连接到源极、我认为这不起作用；因为22810的体二极管的 FVD 可能比任何 PMOS 的 Vgs 都小。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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您好、Adam、

使用 PMOS 时、如果您将源极连接到 VOUT、漏极连接到 GND 并将栅极连接到 EN、则应在卡被移除/EN 处于 GND 时使其处于活动状态、同时在 EN 为高电平时保持 Hi-Z。

为了在我之前的声明中指出、如果在移除卡时 VIN 在没有下拉的情况下悬空、那么这里就无需担心、因为没有很大的回流电流流向的位置、因此不会有很大的回流电流。但是、是的、从 VOUT 到 VIN 的低 FVD 二极管对于承载任何可能回流的大电流而言可能是一种很好的安全机制。

另外、在我看来、QOD 函数可能并不适合您的情况、因为它会在每个 PWM 周期的低侧耗散功率。您在这里要做的似乎与降压转换器类似-是否可以选择使用一个？我认为这将导致更高的效率、并且在类似/更低的 MCU 负载下不会出现回流问题。

您对以上内容有何看法？

谢谢。

帕特里克

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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Patrick、您好！

只是为了说明一点、我不是使用该器件来产生热量。单独的 MOSFET 电路就是这样。我只是将此芯片用于使大型(~2x 470uF)电容器减慢充电速度。

很难确切地知道输入的下拉速度。 12V 输入是电力线、因此它不是浮动的、但它被拉低的速率让我很难确定。它将取决于电路板上的其他器件(这会因我的用例而异)

我同意 QOD 在这里没有什么用处、主要是因为没有充分记录来设计高输出电容/输入电压损失场景、就像我正在考虑的这种场景。

我可以在您的线路上使用 PMOS 来实现放电电路、但即使在低功率下、也仍然需要外部二极管来保护器件。 (值得注意的是、这只会将其放电至 Vgs)

感谢您的帮助！我是从这里得到的。

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