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[参考译文] UCC256404:由于 MOSFET 的低电平和高电平、浪涌抗扰度测试始终会损坏

Guru**** 2386840 points
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1312941/ucc256404-surge-immunity-test-always-damaged-for-mosfet-low-and-high

器件型号:UCC256404

尊敬的先生:

我用了这部分我们的充电器设计,但当浪涌抗扰度测试1-2千伏功率 POSFET 阻尼,

请帮助我找到导致这种情况的根本原因。

谢谢。此

致、 苏帕尔迪
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    尊敬的 Supardi:

    您能否分享包括 PFC 在内的整个原理图?

    此致

    马尼坎塔

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    e2e.ti.com/.../Schematic-Charger-850W-2023_2D00_12_2D00_05_5F00_R1.pdf Hi Manikanta P ,这是整个原理图包括 PFC ,请帮我分析问题找到解决方案。

    谢谢。此

    致、 苏帕尔迪
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    尊敬的 Supardi:

    我明天会回到你的身边。

    此致

    马尼坎塔

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    尊敬的 Supardi:

    很抱歉响应延迟。  我还有几个问题:

    PFC MOSFET 是否在浪涌测试期间损坏? 此外、您能否确定在浪涌期间导致 LLC MOSFET 损坏的原因? 是高输入电压吗? 或器件运行 ZCS? 您还能看一下浪涌期间的光耦合器电流(您可以连接10k Ω)吗?

    此致

    马尼坎塔

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    尊敬的 Manikanta ,感谢您的帮助,浪涌测试现在是好的,但现在我有其他问题的 EMC 测试,您能帮助我如何降低 EMC  

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    尊敬的 Supardi:

    请问您是如何解决 MOSFET 损坏问题的? 对于 EMC 问题、您可以使用 PFC 器件型号创建一个新主题吗? PFC 器件通常由其他应用工程师提供支持。

    此致

    马尼坎塔

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    您好 Manikanta 关于 MOSFET 损坏已经解决,通过改变 PFC 输出的 MLC 电容。

    谢谢。此

    致、 苏帕尔迪