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[参考译文] BQ25756：适用于48V 设计 MOSFET

admin
Guru**** 2632155 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD18563Q5A, BQ25758, CSD19533Q5A, BQ25750

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1320873/bq25756-for-48v-design-mosfet

器件型号：BQ25756
主题中讨论的其他器件：BQ25758、 CSD19533Q5A、CSD18563Q5A 、 BQ25750

您好！

对于 BQ25758、我 在 EPR 设计中发现 EVM 使用了 AON6226、如果选择 TI MOSFET、您有什么建议吗？

它在48V EPR 设计中最需要100V VDS 吗？ 或者我可以选择60V N-MOSFET？

现在我找到了 CSD19533Q5A (100V)、还是可以选择  CSD18563Q5A (60V)？

谢谢！

杰夫

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    TI__Guru**** 2632155 points
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    您好！

    顺便说一下、我们考虑在某些情况下使用旁路模式、是否有任何电感器 RDS (ON)建议？

    因为大多数功率损耗应受电感器 DCR 的影响。 也许需要小于8m Ω 或更低的 DCR？

    谢谢！

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    TI__Guru**** 2632155 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jeff、您好！

    60V FET 将适用于 USB-EPR。  CSD18563Q5A 可用于此应用。 对于 BQ25758、通过 SiR880BDP FET 构建该 EVM。 BQ25750具有 AON6226 FET。

    对于电感而言、低 RDS (on)将很有帮助。 作为参考、我们的 EVM 使用 IHLP6767GZER100M01和 CMLB135T-100ms 。 您需要根据输入电压和输出电压适当地调整电感器的大小。

    此致、
    E·加洛韦