[参考译文] BQ25756：适用于48V 设计 MOSFET

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器件型号：BQ25756
主题中讨论的其他器件：BQ25758、 CSD19533Q5A、CSD18563Q5A 、 BQ25750

您好！

对于 BQ25758、我在 EPR 设计中发现 EVM 使用了 AON6226、如果选择 TI MOSFET、您有什么建议吗？

它在48V EPR 设计中最需要100V VDS 吗？或者我可以选择60V N-MOSFET？

现在我找到了 CSD19533Q5A (100V)、还是可以选择 CSD18563Q5A (60V)？

谢谢！

杰夫

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2378650 points

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您好！

顺便说一下、我们考虑在某些情况下使用旁路模式、是否有任何电感器 RDS (ON)建议？

因为大多数功率损耗应受电感器 DCR 的影响。也许需要小于8m Ω 或更低的 DCR？

谢谢！

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2378650 points

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Jeff、您好！

60V FET 将适用于 USB-EPR。 CSD18563Q5A 可用于此应用。对于 BQ25758、通过 SiR880BDP FET 构建该 EVM。 BQ25750具有 AON6226 FET。

对于电感而言、低 RDS (on)将很有帮助。作为参考、我们的 EVM 使用 IHLP6767GZER100M01和 CMLB135T-100ms 。您需要根据输入电压和输出电压适当地调整电感器的大小。

此致、
E·加洛韦

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