[参考译文] LMG1210：驱动具有负阈值电压的 GaN HEMT

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1321249/lmg1210-driving-gan-hemt-with-negative-threshold-voltage

器件型号：LMG1210
主题中讨论的其他器件： LM5112

尊敬的 TI 开发团队：
我目前正在撰写学士论文、想使用 LMG1210控制半桥拓扑中的开关放大器。由于我想充分利用 LMG1210的全部潜力、因此我想使用具有尽可能低输入电容的 GaN 晶体管。因此、我决定使用 Ampleon 的 CLF3H0060-30晶体管。我附上了产品说明书。
从此处可以看出、晶体管的负阈值电压为-2.9V。
因此、我想问一下是否可以使用 LMG1210控制 CLF3H0060-30、对于外部布线、我必须考虑哪些因素？

我非常感谢任何建议或帮助!
此致

帕特里克

e2e.ti.com/.../CLF3H0060_2D00_30_5F00_3H0060S_2D00_30.pdf

5 个月前

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1139930 points

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嘿 Patrick、

感谢您关于 LMG1210的问题。

另一个潜在的 GaN 驱动器是 LM5112。

对于您选择的耗尽型 GaN 晶体管这种应用、您需要做一些事情才能使 LMG1210实现。

首先、在 Vgs 为负阈值的情况下、例如、您需要使 GND -5V 和 VDD 为0V、以便驱动器能够打开和关闭 FET。这样、LMG1210就能够将输出从 VDD 拉至 GND。

此外、您必须考虑高侧(HB-HS)的偏置方式。您需要计划对其进行偏置、以实现高侧驱动。

您还需要考虑当该驱动器的 GND 为-5V 时如何控制该驱动器。

在进行所有这些操作时、您希望确保不违反驱动器的绝对最大规格。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

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