主题中讨论的其他器件: LMG1210、 LMG1020
您好、TI!
我正在考虑使用 LMG1025合成另一个 LMG1025 (随后驱动一个 GaN FET)的输入的1ns 脉冲。 这些 LMG10mm 是否可以通过在第一个 LMG1025的输出端和下一个 LMG1025的输入端之间放置一个限流电阻器来简单地连接在一起?
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您好、TI!
我正在考虑使用 LMG1025合成另一个 LMG1025 (随后驱动一个 GaN FET)的输入的1ns 脉冲。 这些 LMG10mm 是否可以通过在第一个 LMG1025的输出端和下一个 LMG1025的输入端之间放置一个限流电阻器来简单地连接在一起?
尊敬的 Ruth:
是的、您可以使用一个 LMG1025-Q1的输出将纳秒脉冲输入到另一个 LMG1025-Q1中、这是生成纳秒脉冲的方法之一、在 LMG1025-Q1数据表(第12页)的第8.2.2.2节中对此进行了介绍。 该节还介绍了另一种使用两个相同信号生成纳秒脉冲的更简单方法:一个信号输入 IN+、 其延迟版本输入 IN-。 为了方便起见、我已附上了数据表中的图表、其中描述了以下方法:

谢谢。
鲁巴斯
谢谢! 我试图用一对隔离式 LMG1025来构建一个能够在超过 LMG1210 200V 电压限制的半桥 GaN 驱动器。 LMG1025产品说明书中的差分脉冲生成方案对低侧效果很好、但我不知道如何使其对高侧的互补脉冲起作用。
图10中的方案可用于在低侧和高侧生成相同的脉冲。 在低侧、将脉冲馈送到栅极驱动器的正输入。 在高侧、将其馈送到负输入。 我担心的是、这些脉冲的边沿可能足够快、从而对 LMG1025的输入施加应力。 在信封的背面、似乎可以在脉冲生成 LMG1025和栅极驱动 LMG1025之间串联100欧姆、并尽可能降低电感。 但由于数据表中提到了将栅极驱动器链接在一起的问题、我很好奇是否有更多有关该实现的详细信息。
尊敬的 Ruth:
遗憾的是、除了数据表中的信息外、有关链接实现的信息很少。 LMG1025-Q1的典型最小脉冲宽度为1.25ns、上升/下降时间为650/850ps (LMG1020为1ns 和375/350ps)、只要在这些规格范围内、我们就可以保证器件正常运行。 您可以将一个电阻器串联在一起、但这会减慢上升/下降时间。
我也不清楚是否误解了 差分脉冲输入的方式、但 LS 和 HS LMG1025都需要自己的差分脉冲输入。 还有另一种使用脉冲短接器生成 只有一个信号输入的纳秒脉冲的方法(来自 LMG1025 EVM 用户指南):


此常见问题解答对于将低侧驱动器用作高侧驱动器也很有用: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1082920/faq-ucc27624-can-i-use-a-low-side-driver-as-a-high-side-driver
如果我理解了您的问题、请告诉我、如果不理解、我很乐意继续提供帮助。
谢谢。
鲁巴斯