请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:CSD18543Q3A 大家好、
我们学习了如何定义和测量 MOSFET 的 SOA。
根据 TI 培训资料 https://www.ti.com/zh-tw video/4850608508001
我们列出以下步骤来进行测量、 如果出现问题、请随时予以更正。
步骤1 :在饱和模式下运行 MOSFET(DUT),因此 ID 仅取决于 VGS 电压。
步骤2 :通过外部电源提供 VDS 电压。
步骤3 :提供 VGS 并生成 ID 电流。
步骤4 :如果 MOSFET 仍然有效,返回到步骤3并增加 VGS 电压。
步骤5 :重做步骤3和步骤4,直至 MOSFET 损坏。 然后、我们可以在 SOA 图中得到一个点(VDS 和 ID)
我认为该过程是合理的、但我不确定我的理解是否正确、因为我在此设置中不使用电流源。

此致、
罗伊