[参考译文] LM5117：LM5117在 TI 的 PSpice 中的仿真误差

我将 GND 连接到 VCCDIS 并删除了 OptiMOS 模型库、但同样的错误仍然存在。

这是我到目前为止具有的电路。 我更改了 VCCDIS 接地、并删除了 OptiMOS 模型库、但错误仍然存在。

Derick 你好！  

我想您还没有完全删除库。 另外、请单击左侧窗口中的"模型库"文件夹、并检查是否仍有 OptiMOS MOSFET 模型链接。  

- EL

我首先删除了库组件部分中的 OptiMOS MOSFET 库,当我检查模型库时,没有任何 OptiMOS MOSFET 模型。 关于模型的误差缺失,但现在给了我一个收敛错误。

Derick 你好！  

请将开关的负栅极输入连接到 SW 节点。 同时请确保单击 "自动收敛"选项。  

- EL

Eric、

我正在与 Derick 合作完成这个项目。 如果您希望 S2的负极输入连接到 SW 网络、这是否意味着 S1的负极输入也需要连接到 SW 引脚/网络？ 通常、如果它是 MOSFET、则栅极电压将相对于 GND/RTN、我不太明白将"S2的负极端子"连接到 SW 引脚/网络背后的逻辑。   

你好，尼普纳

如果您希望 S2的负极输入连接到 SW 网络，这是否意味着 S1的负极输入也需要连接到 SW 引脚/网络？ =>是。  

低侧开关的负栅极连接应连接到 GND。  高侧开关的负栅极连接应连接到 SW。  

- EL  

Eric、

我不明白为什么我们必须将"栅极控制回路"连接到 SW 网络。 当我们最终建立这种"负栅极连接"甚至不存在。 我们将只有一个栅极控制电压 连接至 HO 或 LO、具体取决于它是高侧开关还是低侧开关。 由于 MOSFET 模型不起作用、因此图片中只会出现这个问题。 "负栅极控制"只是一个基准、该基准应该是接地的。 这就是 LM5117数据表希望我们做到的。 您能否 再次查看 LM5117数据表第22页？  

我认为理想的"压控开关"不是 MOSFET 模型。 在我看来、您似乎是将批量输入连接到电源、但在这种情况下不必这样做、因为这只是一个理想的开关。 无论如何、您可以尝试对该电路或 snva829中的电路进行建模吗？ 我们正在努力构建 CCCV 降压转换器、以便根据应用量身定制。  

Eric、

谢谢、我们现在要尝试一下。 在相同的逻辑下、低侧开关应连接到 CS 引脚是否正确？

嘿、Eric、

最后、随着对交换机和自动收敛进行的所有更改、模拟出现、这是一个非常好的消息！！ 自动收敛的图像帮助了很多,因为我认为我已经选择了该选项,但没有选中复选框,这就是为什么它一直给出收敛错误的原因。 很显然,所有其他的图像也很有帮助。 所以,谢谢!

现在我能够看到图形、Vout 几乎为5V、但根据 LM5117数据表中的典型电路、我们假设它为12V。 我输入100miliseconds、它达到的最大值为5V。 我想或许可以延长看到电压达到12V 的时间、但我试着增加200毫秒、而仿真没能通过70%的测试。 当我在70%处停止仿真时、电压仍为5V 或接近5V。  

图中的仿真是 Vout、它基本上在100ms 内达到5V。 在原理图的图片中、您会看到绿色探针位于 Vin、但我将其更改为仅测量 Vout。  

为了提供更多信息、齐纳二极管的值为15V (两个齐纳二极管)、并且两个开关的 RON 值均为10m。

我还将原理图中的绿色探针更改为正确测量输出电压所需的电容器组(位于电感器旁边)。 这是我在原理图的该图像中所做的唯一更改。

Derick 你好！  

请在 https://www.ti.com/lit/zip/snvm040上下载示例原理图 、并检查该原理图在您的机器中是否效果良好。 如果运行良好、您可以根据需要修改原理图。

- EL

Eric、

我看到您在原理图(snvm040)中使用了 PSMN5R5。 该模型是在 PSpice 中用于 TI spice 模型、还是我们必须单独下载模型？

你好，尼普纳  

我不确定模型存储在哪个文件夹中、但它在我的机器中运行良好、没有错误。  

- EL

Eric、

我能够下载 PSMN5R5模型、并获得与您类似的结果。 我意识到了一点、CM 引脚和 AGND 之间没有5.1K Ω 和1000 pF 电容器。 不过、它是在数据表原理图中。 您能解释一下为什么不需要这些元素吗？   

我懂了。 我们现在将模拟使用电流监控器的 snva829。