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[参考译文] LM5118：LM5118

admin
Guru**** 1095350 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5118, CSD19532Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1310486/lm5118-lm5118

器件型号：LM5118
主题中讨论的其他器件： CSD19532Q5B

您好！

我们正在考虑将 LM5118用于 具有以下要求的应用  

输入电压(最小值)= 18V

输入电压(最大值)= 75V

最大负载电流= 3A  

在数据表中、我接触到的信息表明 RMS 电流额定值在50%占空比时处于最大值、对应的 VIN = 24V。我想寻求有关此问题的澄清和更多详细信息、以便更好地了解产品在 我们应用中的行为。

此外、如果在不同占空比下有任何优化性能的具体注意事项或指南、我将非常感谢您提供指导。

谢谢

纳杰玛  

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    TI__Guru**** 1095350 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Najma：

    对于此应用示例、50%占空比对应于24V -请参阅8.2.1

    VOUT = 12V

    D =输出电压/输入 电压=>输入电压= D * VOUT = 50%* 24V = 12V

    要优化设计、您可以使用快速入门计算器、该计算器位于产品页

    注意：该文档目前尚未显示、但今天晚些时候应该在产品页面上再次提供。

    另一个用于设计优化的选项是功率级设计器：  

    功率级设计器设计工具| TI.com

    借助这两种工具、您可以查看组件更改的影响并根据您的首选参数调整设计。

    此致、

     斯特凡

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    TI__Guru**** 1095350 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    斯特凡 

     

      

      

     

    ·海 感谢您的答复。 我使用了产品页面中提供的 WEBENCH 电源设计器。 www.ti.com/.../LM5118 我能够为输入电压-18-75V,输出电压24V ,输出电流3A 和环境温度30°C 生成一个示例设计。 但当我把温度更改为40时,它就会说设计失败,结温过高。 是否是由于您用于生成样例设计的组件的工作温度？ 请告诉我,我可以在哪里找到计算? 谢谢 纳杰玛
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    TI__Guru**** 1095350 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Najma：

    最恰当的方法是、其中一个组件中的计算损耗非常高、以至于其温度升高到超过限值(例如二极管)。

    在检查30度数据时、可以看到损耗并计算这些组件的温升。

    我在这里附上了计算器、因为网络更新需要更多 days.e2e.ti.com/.../snvu065a.zip 才能完成

    此致、

     斯特凡

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    TI__Guru**** 1095350 points
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    Stefan、您好、

    我将计算功率耗散。

    FET 器件编号 CSD19532Q5B (HO 上有一个、LO 上有一个)。 Fsw 为221kHz。 栅极驱动器功率耗散的计算方式为：Qg * Vgs * FSW * Rg。

    LDO 的功耗 计算公式为  PVCC =(VCC)*｛(Qg * FSW)+IBAIS｝

    我参考了以下主题

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/455645/lm5118-power-dissipation

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/885669/lm5118-power-dissipation-at-lm5118

    请告诉我您的计算结果是否正确。  

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    TI__Guru**** 1095350 points
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    尊敬的 Najma：

    您想计算 LM5118的功率耗散、对吧？

    我看不到工作表中的数学运算、但上面的公式看起来不错。

    此致、

     斯特凡

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    TI__Guru**** 1095350 points
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    Stefan、您好、

    计算如下

    VIN = 18-75V

    Qg = 48nc*2=96nC    (CSD19532Q5B)

    VGS = 7V (与 Vcc 相同)  

    fsw = 221kHz

    Ibias = 5.5mA

    串联栅极电阻 Rg = 1.2Ohm

    栅极功率耗散= Qg * Vgs * FSW* Rg = 0.1782W

    LDO 功率耗散= (VIN-AIS)*{(VIN*FSW)+IBAIS}=(75-7) VCC *((96nC*221000)+0.0055)= 1.816W Qg

    总功率耗散为1.99W，计算出的温升为79.76摄氏度。由于 PCB 必须在最坏情况温度为60°C 的模块内运行，因此最坏情况温度将接近 140°C。

    是否有办法限制 LDO 功耗？  

    如果 VCCX 偏置为5V、LDO 将不会运行、对吗？

    在这种情况下，PVcc = (RDSON)*[((Qg * FSW)+IBAIS)^2]= 0.0034W ( 数据表中 Rdson = 5 Ω)

    Ptotal 将为0.1782 + 0.0034 = 0.1816W  

    如果我们希望限制功率耗散和温度上升、这是否是最佳选择？ 请告知  

    谢谢

    纳杰玛

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    TI__Guru**** 1095350 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Najma：

    计算看起来不错。

    为了降低损耗、您可以在 VCCX 上具有更低的电压-仍高于7V 以获得足够的栅极信号

    例如、对于10V 的电压、其值为：

    LDO 功耗= (VCCX-BAIS)*｛(Qg * FSW) VCC｝=(10-7)*((96nC * 221000)+0.0055)= 80.1mW

    但请注意：LM5118具有一个限制、该限制要求仅在输出电压上升后提供 VCCX。

    此致、

     斯特凡