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器件型号：BQ76200 尊敬的：
我正在设计具有高侧驱动器的 BMS、目前我正在阅读反向电压保护知识。
本应用图4： bq76200反向电压注意事项、建议添加耗尽模式 MOSFET (Q5)来保护 BQ76200的"PACK"引脚、是一种具有低压降的肖特基二极管也是一种很好的解决方案？
此致、
1月
尊敬的：
我正在设计具有高侧驱动器的 BMS、目前我正在阅读反向电压保护知识。
本应用图4： bq76200反向电压注意事项、建议添加耗尽模式 MOSFET (Q5)来保护 BQ76200的"PACK"引脚、是一种具有低压降的肖特基二极管也是一种很好的解决方案？
此致、
1月
您好、Luis：
我们假设最坏的情况是充电器以某种方式接反了。 这意味着-42V。 Q5 MOSFET 将无法处理这一功率。 我们可以使用更强大的消耗 MOSFET、但+1W MOSFET 似乎比并联使用2个<1W 的 MOSFET 更昂贵、如下所示：
这是一个可行的解决方案还是我们可以通过其他措施来限制高电压电流吗？
跟进问题：建议 Q4的 Vgsth 是什么？ 如果 PACK+为负、那么我会认为"PACK"引脚上的电压=- Vf (diode2)(例如=-1.2V)。 假设 DSG = 0V、这意味着如果-DSG (-1.2V)< Vf (例如-1V)、那么 Q4将开始传导电流？ 因此、Vgsth 是否需要低于-Vgsth Vf (例如-2V)？ 确保施加的反向电压不会使正向电压不会触发 MOSFET？ 因为如果它开始导通、则意味着 DSG 将被拉至0V 以下。 Q4是否需要齐纳二极管来防止 Vgs 上的过压？
此致、
1月