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[参考译文] CSD19502Q5B：VGS = 10V、ID = 50A 漏源导通状态电阻

admin
Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19502Q5B

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1316905/csd19502q5b-vgs-10v-id-50a-drain-source-on-state-resistance

器件型号：CSD19502Q5B

大家好、

CSD19502Q5B VGS = 10V、ID = 50A 漏源导通状态电阻 CAN 处于3mΩ 状态？

e2e.ti.com/.../Infineon_2D00_BSC030N08NS5_2D00_DataSheet_2D00_v02_5F00_04_2D00_EN.pdf

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    TI__Guru**** 2513185 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kevin 老师好！

    感谢您关注 TI FET。 当 VGS = 10V 时、CSD19502Q5B 的最大 RDS (ON)= 4.1mΩ。 它是我们采用5x6mm SON 封装的最低导通电阻80V NFET。 此数值略高于竞争产品的数值、后者在 VGS = 10V 时的3mΩ 最大值。 如果您有任何其他问题、请告诉我。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用