[参考译文] LM5176：LM5176效率提升

大家好、

我会尽快回复您。 目前我的带宽很短、请允许我留出一些时间与您联系。 我会在下周早些时候给您回复。

Br、

哈龙

大家好、

高侧降压 MOSFET 的 Rdson 有问题。 由于高损耗、CMOS 和 JFET 器件  

输入电流*输入电流* Rdson = 29A * 29A * 5.4m Ω= 4.54W

如果 Theta JA 为56 C/W，这将导致 250度再次影响 Rdson。

那么、第一步是优化该 MOSFET 的 Rdson。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

感谢您的反馈。 我们想知道在高侧降压 MOSFET 上并联一个相同的 N-MOSFET 来将 Rdson 减半是一个合适的解决方案吗？

原因并联的 N-MOSFET 将使 Qg、Qgs 和 QGD 加倍。  

此致、

简

大家好、

这是可以实现的(另请参见 LM5176EVM-HP、此处已经有第二个 MOSFET 的空间)、但正如您之前提到的、您需要再次检查该解决方案的损耗。  

->导通损耗更少、开关损耗更多。

在 Excel 计算器中、您可以使用 rds、on 和 double Qg、Qgs 和 Qgd 来获取损耗估算值。

但在升压侧也会看到相当高的损耗。 转换损耗非常高、处理14W 损耗不适用于被动冷却。 => 14W * THATA JA = 784度！！

因此、此处可能还需要选择另一个 MOSFET。

此致、

 斯特凡