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[参考译文] TPS281C30:电源管理论坛

Guru**** 1825110 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS1H100-Q1, TPS281C100
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1315778/tps281c30-power-management-forum

器件型号:TPS281C30
主题中讨论的其他器件:TPS1H100-Q1TPS281C100

尊敬的 TI 支持部门:

关于 TI 的高侧开关(TPS1H100-Q1/TPS281C30x/TPS281C100x)、
当由于触发了保护机制(过流/过载/过热等)而关闭高侧开关时
器件的特性是否保持对电感性负载进行退磁的原始能力?

谢谢。
安迪

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    Andy、您好!  

    是、对于具有集成式 VDS 钳位来对电感性负载进行退磁的器件(TPS281C30A、TPS281C30B  、TPS281C100、TPS1H100-Q1等)、 当器件因其内部保护机制而关断时、将保持对电感性负载进行退磁的能力。  

    此致、  

    伊丽莎白  

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    尊敬的 Elizabeth:

    添加一个问题、  
    如果高侧开关输出端子上出现异常电压、
    高电平开关是否允许输出电压高于输入电压?
    例如、输入终端为31.5V、输出终端为32V (强制输出连接至32V、电压为连续)

    谢谢。
    安迪

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    Andy、您好!  

    数据表中规定了 VDS 钳位的额定值。 例如、以下是 TPS281C30A/B 的 VDS 钳位、它不会防止 VIN 和 VOUT 之间存在0.5V 的差异。

    如果需要反向电流保护、请在输出端使用理想二极管、或 TPS274C65AS、该器件集成了用于驱动外部阻断 FET 的 NMOS 栅极驱动器

    此致、  

    伊丽莎白