[参考译文] BQ34110：数据闪存读取和写入问题

大家好、Shashank、

我有很多问题。

您是否也在执行上面列出的步骤？

您是否正在使用 ev2400？

您启用了 Jeita 吗？

此致、

埃文

您好、Evan：

我使用示波器测得、即使写入数据闪存、REG25也始终为2.5V。

读取时 Operation Config A 具有默认值0x8204、因此未启用 JEITA、

问题是、我正在写入 Operation Config A 以启用 JEITA、但由于写入数据闪存无法正常工作、JEITA 未启用。

此致、

Shashank.

VBAT 值也始终为4.2V。

您好、Evan：

我已尝试使用 bqStudio、它可以与 Studio 配合使用。 VBAT 仍为4.2V。

我尝试在工作室改变设计容量、但它正在发生变化。 下面是来自示波器的 I2C 屏幕截图、

1)

2)

3)

4)

因此、Studio 将写入30字节数据、而不是仅写入2字节以用作设计容量。

现在、我使用的固件还用于写入设计容量、但只写入2字节数据。 没有写入设计容量。 下面是该示波器的屏幕截图、  

在我看来、固件屏幕截图中的所有内容似乎都正确无误。

您能否查看并告诉我、设计能力无法编写的原因可能是什么？

此致、

Shashank.

大家好、Shashank、

Bqstudio 正在写入30位、因为它会尝试向电量监测计写入一个参数块。

尝试使用 Bqstudio 上的高级通信向电量监测计写入2个位。

我仍然建议在写入监测计时将电压增加到5V 以上、这已经解决了过去使用相同硬件平台的器件上的问题。

时序图-图6-2

BQ34Z100-G1采用 Impedance Track 技术的宽量程电量监测计数据表(修订版 D)(TI.com)

有用的文档

在 bq34110 bq35100和 bq34z100-G1系列气体中使用 I2C 通信

此致、

埃文

您好、Evan：

我使用的是4.2V 电池、无法将 VBAT 提高到5V 以上。

关于时序图、我使用100KHz 频率、图表中的所有所需时序远高于最小值。 我还将时序与来自 Studio 的信号进行了比较、两者是相同的、因此似乎不存在 I2C 时序问题。

一种方法是、我能够使其正常工作、即我需要在每个 I2C 写入命令之后为 DataFlash 写入添加30ms 的延迟。

//通过所需的地址设置 ManufacturerAccessControl 
30ms 
//将数据写入 MacData 
30ms 
//计算校验和并写入 MACDataSum 
30ms 
//写入 MACDataLen 
50毫秒 


在上述延迟情况下、它能够写入 DataFlash。 

但仍然是在将 DataFlash 写回一个块之后、将另一个块给 i2c 写入上的 NCK 时。 


写入 DataFlash 是否需要超过延迟？ 
写入 MACDataLen 后、DataFlash 需要多长时间才能写入数据？ 在此期间是否禁用了 I2C 通信？ 

此致、

Shashank.

您好！

是的、需要延迟、我们通常建议使用100ms、但如果30ms 可以正常工作、应该没问题。

我相信下面的文档能够解答您的问题、如果您不能解释您提出的问题？

6.12 - 采用 Impedance Track 技术的 BQ34Z100-G1宽量程电量监测计数据表(修订版 D)(TI.com)

此致、

埃文

谢谢 Evan。

延迟为100ms 时、效果更好。 我没有获得任何 I2C NACK。

此延迟是否需要在每个 I2C 命令之后进行闪存写入？

我的意思是、在将 DF 地址写入  ManufacturAccessControl 之后、或将数据写入  MacData 之后或将 校验和写入 MACDataSum 之后、它预计会有100ms 的延迟？

或者只需要在向 MACDataLen 写入长度的最后一条 I2C 命令之后？

另外、本文档提到了2ms 的字写入时间、但并未解释100ms 的延迟。

此致、

沙山克