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我通读了应用手册: 如何为 EOS 模式配置 BQ35100、并有几个问题需要您提供宝贵的意见:
- 如果我打算在最终应用中使用的电池已经存在于 bqSTUDIO 库中、是否仍然需要按照应用手册中所述对电池执行完全放电测试? 如果是、它能带来什么好处?
- 执行蓄电池放电测试的频率如何? 是否每个生产批次执行一次?
- 阅读论坛上与 BQ35100相关的帖子后、我知道如果唯一的期望是 EOS 警报、并且不需要 SOH 级别报告、则不需要在芯片中编程化合物 ID。 我的理解是否正确? 在这种情况下、是电池的完全放电、如查询编号 1个?
- 应用手册介绍了如何在连接到 MCU 的非易失性存储器上保存调节电阻和测量的阻抗。 由于缩放电阻是根据化合物 ID 测量的阻抗生成的、因此我认为该示例假设化合物 ID 已编程到芯片中。 我的理解是否正确? 应用手册未提及此步骤或要求。
- 此应用手册的第7节概述了配置 EOS 参数的过程。 对于 初始 EOS 学习所需的新电池 R 比例延迟参数的建议是明确的。 但是、我对 EOS 趋势检测参数有疑问。 20%的值不足以确定 EOS 事件、还是需要根据电池何时因个别情况而不可用来确定该值?
- 除了查询4中提到的两个参数之外、表7-2中是否还有任何其他参数需要由 MCU 设置?
此致、
阿沙雷